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中国大陆内存市场围绕闪存展开新一轮竞争

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中国大陆内存市场围绕内存展开新一轮竞争

作者:Zxm(整理) 2004年9月27日

关键字: Firmware DRAM N-Gage

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据中华资通(ICT)公布数据显示,2004年上半年中国大陆内存市场需求呈现明显成长态势,销售量达22.11亿块,销售额为227.0亿元人民币,较2003年同期分别成长18.2%、19.5%;同时比2003年下半年分别成长了21.5%、11.2%。

2004年第二季度中国内存市场产品结构(来源:赛迪顾问2004/7)

产品类别

销量量(亿颗)

所占比重

销售额(亿元RMB)

市场占有率

DRAM

2.22

19.6%

45.1

40.3%

Flash

3.48

30.8%

48

42.9%

SRAM

0.52

4.6%

7.6

6.8%

其他

5.09

45%

11.2

10%

合计

11.31

100%

111.9

100%

资料指出,2004年第一季市场销售额为115.1亿元人民币,比去年同期成长14.9%,较2003第四季成长12.0%;第二季销售额为111.9亿元人民币,比去年同期成长31.5%,较2003第四季成长4.8%。

数字消费、可携式成杀手级应用

从各个内存厂商推出的新产品来看,数字消费应用和便利携带产品的应用成为内存厂商的产品重点,如Elpida推出了系列适用于数字消费应用的高速DRAM。

另外,东芝将两片4Gb NAND型闪存以TSOP封装在一起,推出8Gb NAND产品,使闪存体积更加小型化;而瑞萨科技则开发出适合行动应用,可减少误码率的SDRAM储存单元。

同时,由于服务器对系统性能的高要求,DDR2在服务器应用中将有更大市场,Hynix公司发布了业界首款基于1Gb的2Gb DDR2 Reg-DIMM,采用该产品能为用户在高密度的DDR2服务器和工作站系统中扩大内存容量。

平均价格下降

从内存市场价格来看,2004年上半年内存市场平均价格较2003年上半年没有太大波动,较2003年下半年有所降低。

DRAM的价格极度不稳定,但整体来看价格有所下降。由于2004年第一季国际DRAM大厂技术转换问题浮现,加上有些厂商把DRAM产能转向NAND闪存或CMOS影像传感器,造成DRAM供给严重吃紧,使DRAM价格从一季末开始一路走高。

到5月初,随着PC市场最滴低缓的季节到来,使DRAM的需求逐渐低迷,加上技术问题的解决和随之上升的供应,导致价格下滑,DRAM的价格下降一直持续到6月中旬才开始趋缓,价格的持续下跌主要是由于需求疲软,反映了正常的季节特点。

闪存的价格再第二季持续下降主要是由于全球DRAM大厂认为未来NAND闪存市场需求将远高于DRAM,纷纷加紧NAND闪存的投资生产或扩产脚步,除了三星和东芝增加产能外,包括Hynix、英飞凌及瑞萨等大厂,也自2004年起陆续进入NAND闪存市场。

另外,全球第二大DRAM厂美光也加入战局,而三星和东芝为了维护其在中国市场占有率已经采取了降价策略,可以预见未来NAND闪存将进入价格战时代。

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