英特尔：32nm以后将是相变内存的天下

作为NOR闪存业的著名厂商，英特尔目前宣布将投产采用DDR模式、读取速度进一步提高的新产品，以全力提高NOR型产品的附加值。同时，英特尔认为继NOR之后的非挥发性内存将是相变内存，因此今后将致力于开发价格更低的新产品。相变内存作为下一代内存技术，其地位日益突现。比如，日本尔必达内存已经宣布正在和美国Ovonyx公司进行联合开发。就非挥发内存技术的发展前景等问题，记者日前采访了英特尔负责非挥发性内存技术的史蒂芬·莱（Stefan K. Lai）。（采访者：浅川 直辉）

——请您介绍一下NOR闪存的微细化及高密度技术。将电荷保持在利用绝缘膜与硅底板隔开的栅极部位、即“浮动栅”结构能够维持到什么时候？

莱：在最小加工尺寸达到65nm～45nm之前，预计都能采用现有浮动栅结构进行生产。至于32nm以后，将于2006年开始相关研究。什么的结构最合适，目前尚不清楚。

——最小加工尺寸达到65nm以下时，有人认为最好是将硅底板和浮动栅之间的绝缘膜由SiO2变更成high-k材料。

莱：只要合乎要求的高性能high-k材料不问世，就不会考虑在绝缘膜中使用high-k材料。闪存的绝缘膜不同于逻辑电路绝缘膜，绝对不允许有任何电荷泄漏。不过控制栅和浮动栅之间的SiO2则可以改成high-k材料。因为能提高二者之间的耦合性。

——目前来说，闪存工艺技术的提高速度要比DRAM和逻辑LSI快。韩国三星电子等均表示，闪存工艺技术正在推动DRAM和逻辑LSI等其他工艺技术的进步。英特尔怎么样呢？

莱：假设三星的技术推动力是DRAM和闪存的话，英特尔的技术推动力则是微处理器。这一点过去现在都一样。然而，未必就可以说微处理器技术已被应用于闪存中。此前，闪存是跟着微处理器的工艺技术进行生产。在工艺水平已经发展到90nm以下的现在，闪存工艺技术和微处理器工艺技术已经完全不同。我认为二者目前已经不存在哪一方学习另一方工艺技术的关系。

——通过给单元加热，使之产生相变，以此来保存信息的相变内存（Ovonic Unified Memory，OUM）的开发状况如何？何时能够取代闪存？

莱：作为OUM来说，尽管目前其成本比1bit/单元的NOR型闪存低，但却高于2bit/单元产品。要使OUM走上前台，必须等到闪存工艺技术提高到32nm以下之后。现阶段，我认为现有浮动栅方式工艺技术的发展速度将会逐步放慢。SONOS型和FinFET型等被业界视为下一代闪存的技术，在使用晶体管方面则存在着工艺上的局限性。而OUM由于不需在内存单元中使用晶体管，因此我认为其工艺技术甚至能够进步到22nm以下。