旺宏携手奇梦达与IBM成功发展NOR闪存新技术

旺宏（MXIC）与奇梦达（Qimonda）、IBM于29日共同发表相变化内存技术，旺宏表示，英特尔（Intel）的NOR型闪存到了65纳米制程世代恐将面临发展瓶颈，而旺宏与其余2家国际大厂所推出的相变化内存技术可一举突破此一瓶颈，目前看到这样技术一直到20纳米制程世代均没有太大问题，此外，旺宏也开始为进入NAND型闪存市场准备，推出一套BE-SONOS技术，虽说短时间内不会踏入NAND型闪存市场，但此一技术已被国际半导体业界视为可以接替NAND型闪存的下世代主要技术之一。

旺宏29日同时发表2项重要技术，分别是在NOR型闪存与NAND型闪存部份，旺宏表示，受到一些物理条件上的限制，旺宏已得知英特尔到65纳米制程世代时，在制造NOR型闪存产品遇上一定程度的瓶颈，且就算硬是要做的话，也将不会符合成本效应，因此旺宏认为，未来如要进一步继续在NOR型闪存市场上经营的话，则必须有相关配套措施出来，才得以续保旺宏在NOR型闪存市场地位。

为此，旺宏日前与奇梦达及IBM三方所共同开发的相变化内存技术，可视为未来旺宏持续深耕NOR型闪存市场利器，而此联盟所共同开发的相变化内存技术，应可持续发展到20纳米制程世代，现阶段来看，一直到2016年左右，微缩到20纳米制程世代时，组件依然还是可以正常运作，而旺宏也预期最快5～10年将可正式推出相变化内存产品。

此外，日前旺宏已对外表示将进入NAND型闪存市场一事，旺宏则表示，在投资金额的考虑上，暂时还不考虑进入NAND型闪存，不过对旺宏来说，现今已取得进入此一市场门票，也就是旺宏已发展出一套名为BE-SONOS的技术，此技术已被国际半导体业界认为将会是接替目前NAND型闪存的下世代技术。

旺宏表示此次所研发出的BE-SONOS技术，将可解决传统闪存在尺寸微小化后所面临的资料相互干扰问题，旺宏认为，目前虽然并未跨足NAND型闪存生产，不过，由于已拥有BE-SONOS技术专利，因此未来可望替旺宏带进相当的权利金收入。