业界分析：NOR与NAND闪存走向融合

消费电子市场的火爆使闪存取代了DRAM，成为半导体产业的新宠，3G手机等新兴应用更是为闪存厂商留下了巨大的想象空间，而有关NAND和NOR闪存孰优孰劣、谁将压倒谁的争论从来没有停止过。由于在存取速度、容量和成本等方面各有优劣，因此虽然NAND和NOR闪存厂商都极力宣扬自己的产品，但终归是难分高下。

既然谁也没有办法压倒对方，一个很自然的想法就是，能否结合两种技术的优势，推出存取速度、容量和成本方面都具有优势的产品？事实上，无论是NOR闪存厂商Spansion公司，还是NAND闪存厂商三星电子都已经在这样做，并且是基于各自的看家技术。

Spansion研发融合的“ORNAND”闪存架构

AMD与富士通(Fujitsu)的闪存合资企业Spansion LLC日前介绍了一种新型架构，把NAND和NOR技术组合到单一的平台上。Spansion打算利用该公司的MirrorBit技术设计它 的新产品。MirrorBit是一种基于NOR的技术，据说能够在一个闪存单元(flash memory cell)中存储两个或者更多bit的数据。

作为这项计划的一部分，该公司宣布，它将开发一种新的基于MirrorBit的“ORNAND”闪存架构，在单一的产品上综合两类闪存的优点——NOR闪存的代码执行能力和NAND闪存的数据存储能力。

预计Spansion的首批ORNAND产品将于2005年面市，脉冲写入(burst-write)速度将比目前的NAND产品快4倍。Spansion计划到2007年提供完整的ORNAND产品系列，密度最高为8-Gbit。

此举反映了人们期待已久的NOR与NAND技术的融合。分析师指出，英特尔也在计划在其NOR产品线中加入更多的NAND能力。

“我们即将推出的MirrorBit产品将超越NOR和NAND的争论，为客户提供同时满足代码执行和数据存储的最理想解决方案。”Spansion的总裁兼CEO Bertrand Cambou表示。

三星的OneNAND专用闪存加入NOR特性

与Spansion不谋而合的是，三星电子近日展示的用于手机的90纳米工艺1-Gbit“OneNAND”闪存，也融入NOR闪存的特性。

OneNAND是一种面向手机统一存储的专用内存。它兼具NOR闪存的高速数据读出功能和NAND闪存的数据存储密度。三星表示，这种单芯片基于NAND架构，具有集成式缓存和逻辑接口，可以保持高达108-Mbyte/秒的数据传输速度。

OneNAND具有一个66-MHz的同步接口和高速缓存读出功能，增强了在高达108-Mbytes/秒传输速度下的读出性能，据称其读出速度是普通NAND内存的四倍。

OneNAND闪存解决方案可以单独提供，也可以与一个手机SDRAM放置在一个多芯片封装(MCP)之中。三星表示，把两个1-Gbit OneNAND闪存和一个手机SDRAM整合在一个三芯片MCP之中，可以满足3G手机的多媒体内存需求。

三星一直试图借助其在DRAM和闪存市场的领导地位，在专用内存领域建立事实性标准。三星的OneNAND闪存于2003年推出，已被10余家公司所采用。它的应用领域包括手机、PDA、DSC、DTV、游戏机和导航系统。