IBM研发新DRAM电路技术

据华尔街日报（WSJ）报导，IBM向外界宣告该公司芯片技术又有新突破，成功发展出能够让处理器储存数据提升2倍的电路，并且效能表现可望提升1倍。

据报导，高速缓存（cache memory）是随机存取内存（RAM）的1种，存取速度较快，处理器读取数据时会至高速缓存中寻找，以减少自外部内存取得数据所造成的延迟。

高速缓存主要由SRAM组成，SRAM每个位由6个晶体管（transistor）组成，而DRAM只须要1个晶体管和1个组件即可组成储存1位的电容器（capacitor），然DRAM虽可储存较多数据，速度上却不如高速缓存。

IBM此次成功利用绝缘层上覆硅（Silicon-on-Insulator；SOI）技术，发展可用于高速缓存、速度极快的DRAM电路，预估只撷取资料仅须1.5 NS（nanosecond；十亿分之一秒）的时间，快于传统DRAM时间10∼12 NS和SRAM时间0.8∼1.0 NS。

IBM认为，若由SRAM转换为升级DRAM电路，则能够在相同的空间上储存3倍的数据；IBM半导体研发部门副总裁Lisa Su指出，预期此举将是未来提升系统效能的重要一步。

这项技术突破可望有助于IBM处理器较英特尔（Intel）等其它对手更具竞争力，不过英特尔处理器技术实验室表示，采用DRAM电路所产生的额外制造成本恐怕会得不偿失；IBM目前与超微（AMD）拥有合作关系，超微表示将评估高速缓存新开发的技术。