扫一扫
分享文章到微信
扫一扫
关注官方公众号
至顶头条
这项技术如果能够完全排除成本和可靠性方面的技术问题的话，将会非常有机会成为目前NAND flash闪存芯片的替代产品。
据介绍，相变存储技术（phase change memory）基于纳米基线级别的锗（germanium）锑（antimony）碲化物（telluride）原料，并采用低温纳米金属作为化学反应催化剂自然形成纳米基线，其中纳米基线的直径在30～50纳米，长度10微米。
不过虽然在技术和存储密度容量，存储性能方面都能够成为目前NAND flash最有力的替代者，不过这项技术如果真正转换为商业化量产消耗品的话，估计还要8～10年时间。
如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息，那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。
现场直击｜2021世界人工智能大会
直击5G创新地带，就在2021MWC上海
5G已至 转型当时——服务提供商如何把握转型的绝佳时机
寻找自己的Flag
华为开发者大会2020（Cloud）- 科技行者
京公网安备 11010802021500号