DRAM制程竞赛延烧 2大技术阵营纷挺进70nm致胜

DRAM产业2大技术阵营斗法至今仍方兴未艾，堆栈式阵营几个月前已率先将制程技术挺进至70nm，让原本深陷90nm制程技术阴影的沟槽式阵营深感不是滋味，不过如今，在沟槽式阵营急起直追下，2大阵营再度对决，华亚科即表示，该公司目前决定跳过80nm制程技术、直接挺进70nm，而日前尔必达（Elpida）亦决定采取此一模式。

目前为止全球DRAM产业仍区分为沟槽式及堆栈式2大阵营，而如今像是三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）、美光（Micron）、力晶、茂德等，均还是延用堆栈式技术，其余如奇梦达（Qimonda）、南亚科、华亚科、华邦电，则为沟槽式大本营，而这2大阵营的竞争至今未见任何休止迹象。

先前沟槽式阵营在进入90nm制程技术阶段，多少遭遇到良率提升瓶颈，以至于让堆栈式阵营不断放话，表示沟槽式阵营恐将被迫退出市场；但经过几个月以来努力以赴，沟槽式阵营急起直追，包括华亚科、南亚科已决定直接跳过80nm制程技术，进入到下世代的70nm制程技术，而这样的决定也让原本市场上不断传出沟槽式阵营恐遭淘汰的传闻不攻自破。

华亚科总经理高启全表示，先前确实有在讨论将制程技术先提升到80nm，而这样的做法仅属于「微缩」，而并非进入下世代制程技术，但经过充分内部研商以及与客户间的沟通，已确定华亚科将不会进入到80nm制程技术，而会直接挺进70nm制程。

事实上，日前尔必达与力晶也采取相同的模式，力晶董事长黄崇仁先前已表示，对于尔必达及力晶这个阵营来说，如要能够领先别人，做到制造成本更低、且产出量更多的话，就必须要直接跳过80nm制程技术，虽说这样的做法当时对于2家公司而言，确实有些许压力存在，但如果要能够确保未来竞争力高人一等，必须选择跳过80nm制程，选择一举跨入70nm制程技术；也正因为沟槽式阵营同样选择跳过80nm制程、直接进入70nm，2大阵营之间的竞争，后续发展还有得瞧。