NAND闪存战争更加激烈

全球NAND型闪存(Flash)市场仍是暗潮汹涌，受到三星电子(Samsung Electronics)扩大成卡业务影响，包括海力士(Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)等阵营均面临压力，下游客户频要求NAND Flash颗粒降价，否则根本无法与三星阵营对抗，使得NAND Flash大厂和模块厂在台面下正上演激烈拉锯战。

NAND Flash市场已进入50nm制程，三星和海力士分别采50nm和57nm制程，量产8Gb和 16Gb容量MLC芯片，为高容量NAND Flash揭开序幕，下一世代制程分别为40nm和48nm，预计第3季之后进入量产。至于东芝和美光、英特尔(Intel)所合资IM Flash，由于东芝目前技术为56nm制程，IM Flash则为50nm制程，东芝正打算让43nm制程接棒成主流，IM Flash则打算直接跳到35nm制程。

内存业者表示，以目前主流50nm制程成本结构来看，现在NAND Flash价格其实已相当低，这亦是近期NAND Flash市场表面上看似风平浪静，即使价格下跌、也是呈缓跌方式，加上龙头厂三星策略得宜，使得供给面控制不错。

然下游客户透露，NAND Flash市场台面下战况其实相当激烈，三星为稳定NAND Flash价格，扩大实施成卡策略，大量制作记忆卡以利走货，使得下游客户在成本压力下，直接购买记忆卡比购买NAND Flash更优惠，然此举却使得海力士、美光和东芝压力大增，下游客户频要求这些NAND Flash大厂调降颗粒价格，才能与三星阵营客户竞争，否则向海力士、美光和东芝买颗粒再做成记忆卡，成本将不如直接跟三星买卡，引发NAND Flash大厂和模块客户之间拉锯战。

部分下游业者则表示，整个市场主要还是受到苹果(Apple)订单仍未回笼影响，信心面太过薄弱，使得整个市场对于利多和利空消息都相当敏感，其实市场供需状况仍正常，虽然没有大涨本钱，但也没有大跌空间。