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存储器芯片巨头观察:三星、美光都在做什么?

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近年来我国一直在大力发展半导体产业,而存储器芯片是其中最热门的重点关注领域之一。作为集成电路的三大品类之一,存储器芯片广泛应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域。对电子产品而言,存储器芯片就像粮食一样不可或缺。

来源:至顶网存储频道 2017年6月1日

关键字: 存储芯片 三星 DRAM

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近年来我国一直在大力发展半导体产业,而存储器芯片是其中最热门的重点关注领域之一。作为集成电路的三大品类之一,存储器芯片广泛应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域。对电子产品而言,存储器芯片就像粮食一样不可或缺。

存储器芯片巨头观察:三星、美光都在做什么?

存储器芯片巨头动态观察:三星、美光、SK海力士都在做什么?

存储器芯片领域,主要分为两类:易失性和非易失性。易失性:断电以后,存储器内的信息就流失了,例如DRAM,电脑中的内存条。非易失性:断电以后,存储器内的信息仍然存在,主要是闪存(Nand FLASH和NOR FLASH),NOR主要应用于代码存储介质中,而NAND则用于数据存储。在整个存储器芯片里面,主要有的三种产品是:DRAM、NOR FLASH和Nand FLASH。其中DRAM市场上主要由三星、海力士和美光三大巨头垄断,占比达到90%以上。

AI存储器商机可期 传三星拟大幅增产DRAM

专为高效能AI(人工智能)处理器与服务器打造的3D堆叠DRAM,传三星计划增产三十倍。

3D堆叠DRAM采用硅穿孔(Through Silicon Via)技术,可将DRAM芯片垂直堆叠,由于进出通道加宽,传输速度也大幅加快。

韩国媒体ETnews引述产业消息报导指出,三星最近向设备供应商订购新型20台热压接合封装机(TCB),这是硅穿孔技术的必要设备,且按理来说,新机具产出是原有机台的八倍。

新TCB机台今年底可就定位,预估届时三星硅穿孔制程产能将可增加三十倍之多。

英特尔与Nvidia现均朝AI积极发展,也都是三星潜在客户群。除此之外,日前有消息指出苹果正在开发AI专属芯片,将用以处理脸部与语音识别等工作,可应用于iPhone与iPad等装置,三星显然已嗅到这股AI存储器的新商机就在不远处。

美光力拼13纳米DRAM、SK海力士冲刺18纳米

三星电子制程领先,率先量产18纳米DRAM,把同业抛在脑后。竞争对手美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)不甘示弱,纷纷砸钱要追上三星。

外媒报道,三星是DRAM龙头,制程领先对手1~2年,2016年下半年首先量产18纳米DRAM,计划今年下半年推进至15纳米。研究机构估计,今年底为止,三星打算把18纳米DRAM的生产比重,提高至30%。业界人士说,三星会以利润优先,不会扩产抢市,打乱价格。

三星一马当先,DRAM第三大厂美光拼命追赶,计划未来两三年砸下20亿美元,研发13纳米DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备,并购买了多项高价生产仪器。进入13纳米制程之后,同一片晶圆能分割成更多芯片,生产力将提高20%。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM。

与此同时,SK海力士也准备在今年下半年量产电脑用的18纳米DRAM,接着再投入移动设备用的18纳米DRAM。SK海力士会优先提高21纳米制程良率,之后转进20纳米、再转向18纳米。SK海力士人员透露,该公司正在研发1y DRAM制程,但是还不确定量产时间。

在此之前,三星电子的韩国华城厂(Hwaseong),即将扩产的传闻延烧许久。最新消息显示,三星决定投资3万亿韩元(约26.4亿美元)提升DRAM产能。不过由于未来11线不再生产DRAM,产能一增一减之下,应该不至于冲击DRAM供给。

韩媒曾报导,业界消息指出,三星半导体业务部门将扩充华城厂17线的DRAM产能,生产10纳米等级的DRAM。三星已告知设备厂扩产计划,并在三月份向部分业者下单,估计投资金额约为2.5万亿~3万亿韩元,完工后每月增产3.5万片300公厘的硅晶圆,预定今年下半初步生产。

三星华城厂为综合晶圆厂,17线生产DRAM、11线生产图像传感器和DRAM、16-2线生产3D NAND Flash、S3线生产10纳米系统半导体。如今11线将转为全数生产图像传感器CMOS和CIS,不再生产DRAM。三星为了弥补产能损失,决定扩大17线的DRAM产能。相关人士表示,此一投资是为了弥补11线产能缩减和制程微缩损失,对DRAM供需几乎没有影响。

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