美林证券表示DRAM、Flash报价8月下旬触底

外资券商美林（Merrill Lynch）最新报告指出，虽然近期现货价格持续疲弱，但并不表示下半年DRAM景气就此开始走下坡，反而可藉此消除DRAM供货商所获取不正常的超额利润（Abnormal Margin）。对于近期价格走势，美林认为，DRAM现货价格和NAND Flash价格在8月下旬触及近1年来新低点，DRAM现货价约3.5～4美元、1G的NAND Flash价格约9～10美元，9月可望出现小幅反弹。

美林指出，上半年上游供货商利润太过丰硕，DRAM平均毛利率超过40％，NAND Flash毛利率达60％，近期价格回文件，正好可适时调整上游厂商过高的利润。虽然如此，美林也表示，在下半年甚至是2005年，DRAM和NAND Flash制造商仍能享有正常利润（Normal Profits），并不至于会出现如同1997～1998及2001年的情况，营运出现亏损。

美林表示，虽然DRAM和NAND Flash现货价格持续走疲，但8月下旬在DRAM现货价跌至3.5～4美元、1G NAND Flash价格来到9～10美元近1年来新低点时，应已是最坏情况，之后可有小幅反弹出现，预计反弹时间点可能会落在9月。

虽然截至目前市场上尚未看到返校需求迹象出现，但美林认为，2004年季节性的需求仍会优于2003年水平，至于1G NAND Flash价格，美林分析，短线底部应会在9～10美元，目前三星（SAMSUNG）在NAND Flash库存低于3周，东芝（TOSHIBA）8月份库存水位也不高。

此外，三星在第三到第四季期间，下一世代的2G NAND Flash会和目前主流的1G达到bit cross over阶段，意即2G NAND Flash每单位成本，将低于1G产品，之后2G产品将会跃升为主流，而这对新进者将形成一个新门坎，因为三星是用90奈米制程来生产2G NAND Flash，成本再进一步降低。