挥发性内存面临发展瓶颈　业界商讨替代技术

在Semico Research公司日前主办的一场研讨会上，Axon Technologies、飞思卡尔(Freescale Semiconductor)和Nantero就非挥发性储存技术的发展大势展开了讨论，三家公司不约而同地声称，SRAM、嵌入式DRAM和闪存等储存技术发展的动力已经耗尽。

飞思卡尔MRAM技术总监Saied Tehrani在开场词中问道，“为什么我们需要另外一种储存技术？”他表示，没有单独一种成熟技术能够满足嵌入内存在未来SoC中的要求：高密度、高速度，无限可靠的寿命、非挥发性、低功耗及低制程成本。

他还指出，依照摩尔定律曲线的规划，所有业已确立的技术将面临严重的缩放问题，从缩减用于DRAM的电容器面积到降低闪存编程电压。Tehrani的答案理所当然是磁阻RAM或MRAM。该公司已证实在采用180奈米技术建构的组件上实现对称25ns的读写时间。

Nantero公司的策略营销副总裁Avo Kanadjian则描述了正研究的储存数组NRAM，其储存元素是一小簇悬浮在真空腔内上下电极间的奈米管。Axon目前则正研制PMC储存单元。这种方法是自组装的奈米级电解液在经过选择的储存数组上生长。在两边的玻璃矩阵的金属电极上施加电场，使金属离子通过矩阵被电沈积，在数奈秒内形成一个导电桥。