为什么闪存将成2014年“速度与激情”的典型代表?

SSD迎头赶上

2013年对于SSD产品来说可谓稳步发展的一年，不过其真正的大动作其实出现在别处。随着SSD技术的逐渐成熟与完善，NAND密度的不断增长已经足以满足更多利基市场对于产品/价格变化的需求，而传输速度高达每秒12Gb的SAS接口产品也已经投放市场。

此外，还有几大亮点值得我们关注：

• sTec于今年一月推出了一款容量为2TB的SAS SSD产品，即s840；
• 美光去年曾推出一系列SSD产品，其中包括对原有P400M SATA进行更新、使其具备每秒6Gb SAS接口；
• HGST于去年四月推出的每秒12Gb SAS接口SSD（即SSD100MR）；

HGST SSD1000MR

• Plextor公司宣布将于今年一月在CES 2014大会上展示一款TLC SSD——即RIP TLC，并于同年六月正式投产；
• SMART公司于去年五月公布了一款2TB SSD；
• 希捷同样于去年五月公布了同一系列的三款SSD产品，两款为每秒6Gb SATA、一款为每秒12Gb SAS；
• 三星公布了一款1.6TB SSD，传输带宽可达到3GB每秒。

总体来说，SSD的发展似乎有些索然无味——除了增量也就是小幅改进，再没什么能让人眼前一亮的惊喜。

混合型方案杀入磁盘驱动器市场

混合型闪存-磁盘驱动器技术产品拥有稳定的迭代周期，利用容量较小的闪存缓存——一般在24GB以下——保存使用频繁较高的热门数据，而具体哪些数据及文件属于热门类型且应该交由闪存打理的判断工作则由固件来完成。

举例来说，希捷去年三月推出的一款台式机SSHD就拥有2TB磁盘容量与8GB闪存缓存——也就是第三代混合型驱动器；另外其笔记本SSHD品牌Moentus XT混合驱动器也经过了重组。

不过真正的革命即将到来。西部数据旗下的HGST公司在去年六月与苹果方面洽谈了Fusion类独立SSD及磁盘驱动器的合作方案。去年十二月，西数还公布了其Dual Drive黑盘——该产品将1TB硬盘与120GB SSD置于同一外壳当中。

令人惊讶的是，这两款设备都采取以逻辑方式隔离存储资源的方式，而没有将二者融合成同一套资源池。我们期待着其它磁盘驱动器供应商能够秉承这一理念，创造出合二为一的实际产品。

服务器闪存DIMM

过去一年中，闪存技术还迎来另一大重要发展成果；SMART Storage公司宣布其成功利用Diablo Technologies的技术专利将闪存芯片与内存DIMM型模块相结合，从而实现了访问延迟比PCIe闪存更低的服务器内存总线闪存方案。

如此一来，廉价的闪存存储方案将作为整体服务器内存系统的组成部分，从而使其扮演存储内存的角色。这种方式能够使工作集数据直接通过内存（实际上是NAND闪存）保存并加以访问，其成本低于DRAM但速度却又高于PCIe闪存、网络闪存阵列以及速度最低的网络磁盘驱动器阵列。这一切——至少听起来——具备相当诱人的吸引力。

这项技术于去年四月初次亮相，而SanDisk在不久之后的七月收购了SMART；接下来加拿大内存访问技术供应商Netlist对SMART与Diablo提起诉讼，称这两家公司窃取了其DIMM技术以打造Flash DIMM ULLtraDIMM产品。

根据在诉讼流程中公开的资料，我们看到IBM也已经在着手利用ULLtraDIMM产品打造一款X系列服务器。随着诉讼流程的进一步继续，其它服务器供应商的参与很可能随之曝光。

PCIe家族人丁兴旺

如今PCIe闪存卡供应商这个大家族的规模正急剧扩大，这主要是由于每一家参与者及同门兄弟企业都在努力从这块服务器应用闪存加速的蛋糕上分得一块。去年三月，我们从PCIe族谱中看到了EMC、Fusion-io、IBM-TMS、英特尔、美光、LSI、OCZ、三星、希捷-Virident、sTec、SanDisk以及Violin Memory的名号。新一轮洗牌可谓势在必行，而2014年中值得关注的主要动向则包括以下几条：

• 今年一月，sTec公布容量为2TB的s1120 PCI闪存卡；
• HGST于去年四月公布了一款每秒12Gb SAS接口SSD；

• 去年四月，Fusion-io宣布其PCIe闪存卡技术能够实现960万次写入IOPS，这一数字确实相当惊人；
• Violin Memory于去年六月公布其Velocity PCIe闪存卡；
• Virident于去年九月公布了容量为4.8TB的FlashMAX闪存卡。

这一切从发展的角度看都具备相当的“速度与幅度”，不过总体而言还不足以真正给PCIe闪存硬件的进化带来质变。

关于缓存软件的消息也不少，但真正有意义的只有Fusion-io与Virident两家公司推出的能够将PCIe闪存作为存储内存使用的方案；而且根据我们的了解，还没有哪家服务器厂商将这些机制纳入标准化产品。

整体来看，以SSD技术为代表的PCIe闪存卡技术在过去一年中并没什么显著变动，不过以下两大进展有可能在2014年内给闪存业界带来重大影响：

• 西数公司的Black²混合型闪存磁盘驱动器；
• SMART Storage公司的Flash DIMM。

到目前为止，这还只是两项独立的技术开发进程，而且其实际影响力与吸引力尚有待观察。除非它们确实能够得到市场认可，否则闪存技术的仍然没有出现显著的成熟度飞跃。

不过闪存供应商们在经营层面遇到了极为剧烈的波动，一方面收购活动愈演愈烈、另一方面市场的快速变化已经导致一些厂商无法及时跟进。

说到这里，我们的第一部分文章就结束了。更多NAND新闻，请大家关注我们的第二部分。