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东芝闪存可达到270MB/s读取速度

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东芝今天宣布推出最新的嵌入式NAND闪存模块,采用东芝第二代19nm工艺制造,并完全符合JEDEC组织九月份最新公布的eMMC 5.0标准规范,可用于智能手机、平板机、DV录像机等众多电子设备。

来源:驱动之家 2013年10月31日

关键字: 东芝 闪存 NAND

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东芝今天宣布推出最新的嵌入式NAND闪存模块,采用东芝第二代19nm工艺制造,并完全符合JEDEC组织九月份最新公布的eMMC 5.0标准规范,可用于智能手机、平板机、DV录像机等众多电子设备。

270MB/s读取!手机用上这种闪存该多爽

东芝这种新的eMMC存储模块采用153 Ball FBGA封装,体积只有13×11.5×0.8-1毫米,比之前减小22%,单芯片整合独立主控制器、多颗闪存颗粒并支持写入区块管理、错误纠正、整合驱动,采用HS-MMC高速接口,容量方面首批推出16GB、32GB(内部分别两颗、四颗64Gb(8GB)颗粒),后续再增加4GB、8GB、64GB、128GB

性能方面,16GB、32GB HS400模式下的持续读取速度可达270MB/s,比传统产品提速64%,持续写入则分别有50MB/s、90MB/s,提速幅度也有38%、25%。

这玩意儿放到手机里,那将是何等爽快。

东芝表示,16GB(THGBMBG7D2KBAIL)、32GB(THGBMBG8D4KBAIR)型号将在11月底投入量产并出货,其它型号日程待定。

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