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存储器缺货让三星、海力士赚翻

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存储器缺货和涨价问题一直是电子产品企业的心头病,而最近东芝存储器要延期供货,美光晶圆半数报废,再一次吹响存储器缺货大战的号角。尽管每次缺货潮都让三星、海士力等上游厂家赚得盆满钵盈。

来源:至顶网存储频道 2017年7月18日

关键字: 存储器 美光 NAND 内存

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存储器缺货和涨价问题一直是电子产品企业的心头病,而最近东芝存储器要延期供货,美光晶圆半数报废,再一次吹响存储器缺货大战的号角。尽管每次缺货潮都让三星、海士力等上游厂家赚得盆满钵盈,但实际上这也是下游企业的灾难。同时,缺货导致的涨价使市场呈现一片虚假繁荣的景象,但有机构预测存储器市场泡沫将于2019年破裂。在泡沫来临之际,行业都在期待救世主来戳破这个泡沫,中国能否担当重任?

缺货潮更汹涌

存储器涨价从2016年下半年开始,根据ICInsights的预计,2017年内存(DRAM)价格涨幅将达到39%,闪存(Flash)涨幅也有望达到25%。因此存储器被普遍称为“半导体产业的皇冠”,甚至被称为“期货”。

涨价只是让下游应用少点利润,但缺货却是致命的,因此有人戏称“这是一个得存储器者得天下的时代”。从目前来看,这种缺货潮有可能越演越烈。

据台湾科技新报报道,日前美光科技厂房制程所需的氮气出状况,造成约6万片晶圆受污染,逾半晶圆报废,厂房目前仍处停工状态。尽管台湾美光一再重申,并发出书面声明强调,桃园厂并无发生氮气外泄事件,也无撤离厂区人员,仅有些微厂务状况,但已迅速恢复运作,相关业务并无受到任何实质影响。但根据消息人士转述,台湾美光受污染的产线恐怕最快要3个月才能恢复生产。

此外,一直沸沸扬扬的东芝半导体出售事件再起波澜。SankeiBiz8日报导,东芝原计划于6月28日和日美韩联盟签订契约,但因现阶段尚未达成共识,该计划未能实现。而因SK海士力与西部数据搅局,东芝存储器出售签约时间有可能将延至8月以后。此事或将影响东芝存储器供货周期延长。

受到DRAM厂商制程转进不易、短期缺乏大幅新增产能下等因素影响,DRAM自去年涨价至今尚未停息。当下再受美光及东芝事件的冲击下,这波存储器缺货短期内恐难以解决。

供需失衡

导致存储器市场出现这种乱象的原因是供需失衡,一方面是应用需求不断增长,另一方面是存储器处于寡头时代,供应不足。

随着DRAM先进工艺制程的发展,DRAM产业应用范围越来越广。从主流应用PC端、手机等消费电子,发展到现阶段又开启了新一代应用包括服务器、云端、物联网、车联网、人工智能等,可以说当前DRAM产业已经进入多元化应用。而这些多元化应用都将带动存储器需求,尤其当前堪称万亿级市场的物联网与5G通信对存储器需求量会更大。因而,DRAM或将面临产能不足、长期供不应求的局面。

其次,与广泛的应用领域形成鲜明对比的是,存储器产业的高度集中。根据TrendForce的数据,截至2016年三季度,全球DRAM市场份额分布为三星(50.2%)、海力士(24.8%)、美光(18.5%)、南亚(3.1%)、华邦电子(1.7%)、力晶科技(0.6%)、其他(1.2%)。内存模组厂商包括金士顿、美光等,金士顿是全球第一大内存模组厂商,2015年市占率高达68%。可以说,全球主要DRAM产能仅由几间厂家垄断提供,寡头竞争格局尤为突出,这直接导致全球范围内的持续缺货。

泡沫来临

分析师表示2017年DRAM内存涨价将达到39%,NAND闪存涨价也有21%,市场价值大涨60%-70%,厂商的运营利润也维持在40%-60%的高位。

存储器的持续涨价也强力带动了存储公司的发展。据了解,提供存储IP的Kilopass,在过去的2008年至2016年间,公司的增长速度是IC行业的10倍。目前Kilopass拥有OTP方面的专利超过70个,客户超过了250家(IDM和IC设计公司),仅TSMC10纳米的eFuse出货量就超过了100亿。

值得注意的是,存储器涨价带来的不仅是正面的收益,相反,对于下游企业来说,其实是灾难。7月12日,全志科技晚间公告显示,2017年上半年受存储器件及显示屏等价格持续上涨影响,下游市场需求受到抑制,公司一季度营收同比下滑了约25%。预计上半年盈利100万元-300万元,同比降95.46%-98.49%。

对此,日前Gartner预测称,虽然今年全球半导体销售额首次超过4000亿美元,但到2019年,繁荣景象将会消失。Gartner研究副总裁安德鲁?诺伍德表示:“企业在储存器市场大量投资,但之后将再次失去这些利润。据推测,随着储存器供应商增加新的供应量,存储器市场泡沫将于2019年破裂。”

但是由谁来戳破泡沫?谁能够担当重任力挽狂澜?

中国能否成为救世主?

众所周知,戳破存储器泡沫的方式就是增加供给,而中国企业目前正在大举进入存储器市场,并且取得了一定的成果,因此有望帮市场解渴。

上个月,兆易创新拟以65亿元收购北京矽成100%股权。分析人士认为,作为国内存储器芯片设计龙头,收购北京矽成能使兆易创新在原有NORFlash市场优势的基础上,增添NAND和MCU等新的成长点,帮助公司补全存储器版图,打造具有全球影响力的存储器业务。

同时,在国家大力扶持集成电路产业及芯片进口替代加快的趋势下,存储器行业迎来一轮蓬勃发展期。“全球晶圆厂预测”最新报告指出,2017年中国总计有14座晶圆厂正在兴建,并将于2018年开始装机。总计2017年中国将有48座晶圆厂有设备投资,支出金额达67亿美元。展望2018年,中国将有49座晶圆厂有设备投资,支出金额约100亿美元。

目前,长江存储32层3DNAND芯片预计2018年实现量产,福建省晋华12寸新厂32纳米制程预期在2018年9月才开始试产,而合肥长鑫12寸存储晶圆厂预计2019年底才能实现达12.5万片的月产能。

此外,目前中科院上海微系统所研发的国际领先的嵌入式相变存储器现已成功应用在打印机领域,并实现千万量级市场化销售。据了解,该相变存储器具有功耗低、写入速度快、断电后保存数据不丢失等优点,目前,国际上仅有三星、英特尔等推出了相关产品,但多为非嵌入式相变存储器产品。有分析人士由此推测,未来中国在该领域有望实现“弯道超车”。

随着中国本土存储芯片制造厂商的加快发展及国外半导体龙头的大力投资,加上相变存储器的强势助力,一旦上述晶圆厂的产能全部释放或相变存储器能够广泛应用,或能够让中国一举成为全球半导体产业发展的引领者,进而打破当前由涨价潮引发的市场泡沫。

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