飞思卡尔控告茂德内存技术侵权

根据彭博信息（Bloomberg）报导，总部位于美国德州的半导体大厂飞思卡尔（Freescale）上周向美国德州Sherman联邦法院控告台湾第三大DRAM厂商茂德（5387）侵犯飞思卡尔3项专利权，并提出现金赔偿要求，对此,茂德表示,尚未收到飞思卡尔的行文通知，待接获后将做进一步处理，目前不予置评。

飞思卡尔要求法院下令禁止茂德使用这些受专利保护的技术，并希望能获得现金赔偿，但实际要求金额尚未确定，目前该案在德州联邦法院的案件编号为06cv491。飞思卡尔指控茂德侵犯的美国专利权编号为USP5,367,494、USP5,467,455、与USP5,476,816，分别是和内存存取时间、内存数据处理系统与动态总线，以及和内存芯片生产用金属层侵蚀相关的专利权技术。

近来有关内存厂侵权的案件有增多的情况，连韩厂三星电子（Samsung Electronics）也被美国半导体厂On Semiconductor在德州联邦法院指控侵犯专利技术，加拿大IC设计业者也指控美光（Micron）、力晶、茂德、茂硅等厂商侵权。