Facebook硬件大师主张采用TLC闪存处理冷数据

美光公司已经研发出世界上最小的每单元3-bit NAND芯片，并将应用在USB记忆棒等存储媒介当中；而Facebook的开源硬件大师则表示这种芯片完全有能力充当数据中心领域的超低价闪存存储方案。

TLC（即三级单元）NAND技术的每个单元中包含3 bit，比标准的MLC（即多级单元）闪存多1个，并能够在给定容量级别下降低闪存存储成本——不过有利就有弊，TLC的访问速度低于MLC，而且其写入寿命周期也要短得多。MLC闪存由20纳米级别的工艺制成，其重复擦写次数可达3000次；反观TLC闪存则在寿命方面短上近三分之一。

虽然可以通过超量配置的方式扩展其使用寿命，但目前TLC闪存还没能拿出有说服力的数据中心用例。现在我们还只能在USB记忆棒以及相机闪存卡中见到它的身影——以Sandisk为例，其产品的使用寿命并不是重点、但对成本的严苛要求却令TLC脱颖而出。

美光公司已经利用20nm工艺制作出128Gb的TLC芯片产品，其面积仅为146mm²。这款芯片边长为12.083mm，仅仅比小指甲稍大一点。换言之，TCL闪存方案能够在同样的物理尺寸下塞进更多数据。

美光认为今年的NAND GB级市场将有35%被便携式闪存存储产品所占据，其中又以相机存储卡与USB记忆棒为首。这是专门针对小芯片的一块大市场。

与此同时，Facebook开放计算项目倡导者Frank Frankovsky（上图）他的意见是：“可以使用TLC处理冷数据”——如果他的结论无误，那么TLC闪存的市场需求量将大大超出我们的预期。

目前大家公认TLC闪存是一款相当便宜的芯片，且访问速度明显高于磁盘或者磁带。Frankovsky在接受Ars Technica网站的采访时指出，我们可以设计一套控制器算法来有效追踪单元状态并加以维护，这种机制与目前能够列出磁盘坏道的工具非常相近。在算法的辅助下，系统会忽略掉出现故障的TLC闪存单元。在清楚了哪些单元运转正常、哪些单元已经损坏的前提下，我们完全可以建立起一套专门打理冷数据的闪存存储资源。据他估计，这套方案将比使用普通磁盘还便宜，因为我们不需要在数据中心数以万计的磁盘之间弄一帮技术人员以及时更换损坏对象。

Facebook非常幸运地改写了服务器、网络及存储产品的行业规则，而这一切都源自其庞大的使用需求以及对压缩成本的极度渴望。Facebook当然也希望把一切无用的差异化设计都扔进垃圾桶。