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STEC谈SSD对手、NAND和自主控制器技术

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闪存先锋STEC的CEO Mark Moshayedi不认为“闪存是永恒的”。虽然他的公司现在企业级固态驱动器空间奋力争夺,而他对未来有一个不同的憧憬。El Reg最近与Moshayedi会面,他展开讨论了公司目前的战略,并解释他们是如何通过开发自己的高速缓存软件节省了数百万

来源:存储在线 2013年1月18日

关键字: STEC SSD NAND

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闪存先锋STEC的CEO Mark Moshayedi不认为“闪存是永恒的”。虽然他的公司现在企业级固态驱动器空间奋力争夺,而他对未来有一个不同的憧憬。El Reg最近与Moshayedi会面,他展开讨论了公司目前的战略,并解释他们是如何通过开发自己的高速缓存软件节省了数百万。他还表示STEC拥有自己的控制器技术将帮助他们打败对手。

当然,闪存业务并不一直是一场战斗:很久很久以前,STEC的ZeusIOPS光纤通道驱动器占据最高统治地位。但是现在,已经有几十个供应商和多种格式(接口类型)。

回顾那段美好时光的末尾,当STEC仍是EMC和其他客户的光纤通道SSD独家供应商,Moshayedi说:“直到2011年年底,我们的竞争对手才成为第二供应商。三星用一个在Emulex FC桥后面的SATA SSD,还有Hitachi GST获得了他们的FC驱动器验证。”

STEC向前发展的重点在于SAS,现在是6Gb/s,12Gb/s正在到来;另一个有兴趣的是在嵌入式市场中的PCIe接口闪存产品。这些天来,服务器可以是全闪存或有一个闪存缓存配置,对于后者他们需要闪存高速缓存软件。

Moshayedi表示,STEC花费了600万美元来开发其Enhanced IO缓存软件,这是可用于Linux、VMware和Windows。根据这位CEO的说法,它与一个供应商的SSD一起工作,提供了大约全SSD系统90%的性能。该存储公司的老板对STEC的缓存技术显得很满意:“NetApp表示,它是唯一通过所有测试的缓存软件。”

他对比了STEC自主研发花费的600万美元,与那些不得不买入缓存技术的竞争对手。

El Reg查看了自己的存档,并记录如下:

• Fusion-io花9,500万美元购买IO Turbine;

• SanDisk购买FlashSoft用了6,500万美元;

• NVELO被三星收购——大约5,800万美元的数字;

Moshayedi很高兴STEC的内部开发智慧和节省资金的战略,并暗示他们比竞争对手更聪明。他还谈到了STEC自己的闪存磨损降低(损耗均衡)和管理软件CellCare,表示它可以将来自东芝的原始24nm MLC NAND,从3,000次编程/擦除(PE)周期的耐久度提高至40,000次。

他告诉El Reg,他不认为STEC需要与NAND晶元代工厂更密切的关系。NAND厂商集体不赚钱,因为供大于求。他补充说:“我们在记忆体业务上已经20年,我们从来没有过可用方面的问题。”

他指出,在过去的几年里美光(Micron)只有两年赚到了钱,英特尔似乎已经看到闪存工厂业务的黯淡,并“出售其股权给美??光。这里没有供应的问题”。

当然,OCZ也经历了闪存供应问题。Moshayedi再次表示,STEC不追求加强与NAND晶圆代工运营商的关系。

ASIC为主导的发展

STEC的发展过程以ASIC(专用集成电路)控制器为基础。一旦新版本迭代开发完成,然后再改进其现有的产品——一个正在开发的新产品使用更新的ASIC功能。

下一代ASIC将包括LDPC(低密度奇偶校验)功能(信号处理的一种形式)、SOP和NVMe支持、12Gbit/s SAS,当然不只是支持闪存,还有MRAM。目前的计划是,它将在2014年第一季度末可用。Moshayedi补充说:“我们所有未来几代的产品将内置压缩功能。”

3-bit NAND闪存,TLC

Moshayedi证实STEC打算推出TLC NAND产品:“这需要更多一点的ECC和将拥有LDPC技术的新控制器。STEC有一个25名工程师的团队工作从事CellCare和LDPC技术工作。”

STEC的老板还表示,苹果已经用4.5亿美元左右收购了开发LDPC技术的公司Anobit,这意味着,STEC的LDPC技术要便宜很多...

STEC对TLC感兴趣,他告诉我们:“事实上我们拥有来自客户的招标书(要求建议)。”TLC适合少量写,读占很多的应用,因为其耐久度相比 MLC(2-bit),闪存较低。Moshayedi补充说:“CellCare可以得到TLC原始耐久度的10倍。在下一代ASIC中加入LDPC之后,我们会得到20倍。这使得它可以替换MLC。”

他预计,一款TLC的产品可以在2014年中期出货,价格在50美分/GB的区间。

Flash是不是永远

STEC正在寻找超越闪存(的介质),它不会永远持续下去,磁阻RAM(MRAM)比闪存快,拥有较长的耐久度,采用位寻址而NAND(闪存)是块寻址,并且仍然是非易失性,提供一个存储级内存的能力。

当前的STEC SSD可以被看作是由DRAM、NAND、闪存控制器和备份超级电容器组成:“这种假设我们可以去掉缓存和备用电源”,让我们下一代的SSD由NAND、代替DRAM的MRAM,以及控制器组成。这位CEO说:“我们可以通过MRAM和优化写入得到很好的写聚集。”

Moshayedi补充说:“可能会有特定的产品设计只使用MRAM而没有闪存。我们目前拥有ZeusRAM SSD,使用DRAM和闪存并用于写日志存储和缓存一致性应用类型。我们可以想象一款ZeusMRAM产品,这是STEC MRAM活动的一个延伸。它将会很昂贵,但同时提供高容量和高性能。”

译者注:MRAM当前最大的问题是密度,还有单位容量的成本。

全闪存阵列

STEC会制造一款全闪存阵列吗?该闪存公司的老板说:“我们正在为我们的客户寻找解决方案,那些不太高端的客户。将有两个使用别人的软件和标准硬件的参考设计。”

我们可以设想一款由STEC合作伙伴构建的产品,包括一个商品级戴尔、惠普或联想的服务器,DRAM和STEC的SSD在Xyratex的外壳里面。软件方面,STEC正在寻求Nexenta(已向其投资)和Windows 2012。该参考设计将在今年第二季度准备好。

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