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SSD 2.0:相变内存挑战NAND闪存

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从70年代开始,相变内存(Phase Change Memory,PCM)就开始成为一个热议话题,由于其高读取/写入速度、低易失性和高存储密度而成为可能取代磁性存储介质的选择。现在,相变内存被认为是继NAND闪存后的下一代技术,因为它可以弥补NAND技术的不足以及传统硬盘的瓶颈。

作者:存储时代/月之暗面(编译) 来源:Stor-age.com 2009年1月24日

关键字: DRAM 相变内存 pcm Numonyx N-Gage

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虽然现在相变内存还没有进入到企业级存储领域,但是已经开始有人在考虑相变内存在企业级领域内的最佳定位。

Numonyx的Smith表示:“相变内存很适合应用于网络路由器和交换机等方面。这些设备控制高度复杂的硬件和软件系统,处理大量数据日志。在采用相变内存处理这些数据日志的环境下,你有了能够快速处理小型数据块的最佳内存。如果你想使用NAND或者NOR来处理的话,你必须对这些介质实施管理。”

Numonyx已经制造出90纳米的相变内存,看上去与NOR闪存有些相似,写入周期与闪存接近。但是随着Numonyx在2009年开始转向生产采用45纳米相变内存的产品,写入周期将有可能提高的200万到1000万次。

IBM的Narayan表示:“NAND和DRAM一直存在可扩展性的问题。一旦降至32纳米以下,这些存储介质的效率就大打折扣。可扩展性是我们非常关注的一个问题,目前为止从数据中我们可以看到,相变内存可以扩展至3纳米到20纳米之间。”

未来两到三年内,相变内存还不太可能出现在企业级领域,但是随着企业CTO开始规划5到7年的技术路线图,相变内存也成为他们关注的一项技术。

“如何将闪存集成到存储系统中已经成为一门艺术,这将让企业掌握如何最好地利用闪存。厂商也应该考虑相变内存技术,考虑如何从系统的角度利用相变内存以实现相变内存在企业级领域内可靠的价值定位。”

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