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德国英飞凌科技、德国奇梦达、美国IBM以及台湾旺宏电子的研究小组，联合开发出了旨在实现相变存储器2bit/单元（4值）以及4bit/单元（16值）多值化的新型写入技术（演讲序号17.5）。并利用基于180nm CMOS工艺的试制阵列，对2bit/单元类型的16kbit页写入以及4bit/单元类型的10×10阵列写入进行了验证。
英飞凌等开发的技术将写入用电流脉冲的上升与下降（tail）形状控制为阶梯状等，以形成不同阻值的多层相变膜的结晶化状态。已证实数据读取时间为600ns，可以写入109次。相变膜使用的是添加有氮的GeSbTe（GST）膜。
控制写入脉冲的波动（轨迹）形状
验证面向10×10阵列的4bit/单元（16值）写入
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