SSD 2.0：相变内存挑战NAND闪存

从70年代开始，相变内存（Phase Change Memory，PCM）就开始成为一个热议话题，由于其高读取/写入速度、低易失性和高存储密度而成为可能取代磁性存储介质的选择。现在，相变内存被认为是继NAND闪存后的下一代技术，因为它可以弥补NAND技术的不足以及传统硬盘的瓶颈。

IBM科学和技术部门经理Spike Narayan表示：“相比NAND和传统硬盘驱动器来说，相变内存有很多优点。首先，相变内存相对来说是一种高性能组件。第二，相变内存是非易失性的，而且可以节约能源。当没有信息读取或者写入的时候，就没有能源消耗。这一点很重要，尤其是当越来越多的数据中心需要节能存储的时候。第三，相变内存的写入持久性要远远高于NAND。现在，NAND闪存的生命周期大约在10000到100000个写入周期，相变内存的生命周期大约是它的三到五倍。”

在写入方面，相变内存采用了一种硫族（chalcogenide）材料，这是一种融合了硫磺、硒或者碲的材料。这些半导体能够通过加热工艺从一种相位转变到另一个相位，擦除任何数据。相变内存的写入性能要远远高于NAND，因为在写入数据之前是不需要擦除相变内存数位的。

意法半导体和英特尔的合资公司Numonyx BV相变内存项目经理Cliff Smith表示：“NAND闪存的两个写入流程被缩减为相变内存的一个写入流程。我们预计相变内存将会进入到存储市场中，但它不会取代其他现有的存储介质。企业将利用相变内存的特点在固态盘阵列中取代NAND闪存。”

Smith表示，这种架构方法让相变内存能够快速读取和写入，这更适合于密集型和整合块写入。512字节的数据块“不适合于大容量NAND，因为这样你就必须管理系统和开销。”

Smith表示，相变内存一开始可以被企业作为闪存试用，因为它与DRAM的性能相匹敌，甚至有些情况下超过DRAM。NAND仍会继续作为企业首选的存储介质，但是随着更多相变内存的推出，相变内存的价位将更容易被人们接受。

IBM的Narayan表示：“未来两年内，闪存将实现在企业级领域的物质化。在这之后，我们可能将会看到相变内存出现在一些利基应用中。保守地说，闪存的普及将为相变内存的发展铺平道路。最终，我们还有可能会看到相变内存取代闪存。”