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三星今年将推“相变内存” 取代现有闪存技术

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5月4日消息,据国外媒体报道,三星计划于今年晚些时候推出相变内存卡(PCM),旨在取代当前手机等电子产品所使用的闪存技术。

作者:赛迪网 来源:赛迪网 2010年5月4日

关键字: 相变内存 三星 存储数据 闪存

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5月4日消息,据国外媒体报道,三星计划于今年晚些时候推出相变内存卡(PCM),旨在取代当前手机等电子产品所使用的闪存技术。

相变内存由相变材料制成,通过加热材料形式来存储数据。与闪存存储相比,相变内存存储数据时更加省电,预计可延长电池续航时间20%。

在速度方面,相变内存的优势更加明显,其存取数据的速度比闪存快9倍。三星表示,相变内存模块预计于今年晚些时候下线,最初的容量为512MB。三星预计,对于多种电子产品,相变内存最终取代当前的闪存技术。

值得一提的是,相变内存存储数据时所需温度在150至600摄氏度之间,尽管该温度对于电子产品而言是安全的,但对于经常把手机揣着兜里的用户而言可能会有些顾虑。

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