闪存的替代品今年上市？

英特尔公司今年会宣布推出相变内存（Phase-change Memory，PCM），从而揭开闪存逐渐被取代的序幕吗？

这正是闪存高峰会（Flash Memory Summit）场外热烈讨论的话题。观察者说，英特尔和意法半导体（STMicroelectronics）已组成生产存储芯片的联盟，可能不久之后就会宣布，今年将展开相化存储芯片（或称ovonics）的商业量产。有消息来源称，意法半导体正迫不及待地想推出这种密度高于闪存的芯片。

英特尔尚未公开表示何时推出相变内存，与会的英特尔闪存存储事业部策略计划经理Greg Komoto只是表示，该公司已制作出90纳米相变存储芯片的样本，而英特尔相信这种芯片将来有可能取代目前用于MP3播放器等装置的NAND闪存芯片。

他说：“目前再也找不到别种内存，兼具成本低的潜力与许多其他的特质。”

来自Objective Analysis的分析师Jim Handy说，英特尔与意法半导体的合资公司名叫Numonyx。而最先发明基础相变化记忆技术的公司是Ovonyx，然后这家公司再把技术授权给英特尔等大厂使用。

Numonyx上个月宣布，将生产面向消费者市场的内存，并承诺今年稍后会再透露更多的细节。

相变内存的制作材料与CD光盘类似，只是把这种材料塑造成芯片。芯片上极微小的储存单位（bit）从结晶状转化为无结晶状，需要运用快速加温方式，把温度急速拉升到摄氏600度。

这种技术已历经长期的发展。早在1970年，英特尔共同创办人Gordon Moore就发表一篇文章，对这种内存赞许有加，并预言未来的展望亮丽。不过后来，此技术仍然经过了漫长的改良过程，三星、飞利浦等制造商都曾尝试开发这种内存。

同时，NAND快闪芯片厂商SanDisk的首席执行官Eli Harari预测，NAND闪存大约在七年后就可能遭遇技术瓶颈。