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IBM磁性内存研发转变 携手日本TDK合推STT-RAM

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IBM与日本TDK达成联合开发所谓STT-RAM。IBM负责非挥发性内存研究高级经理盖拉尔说,在缩小MRAM芯片时,需要提高磁场强度,这几乎是不切实际的。

作者:Stor-Age【原创】 2007年8月21日

关键字: STT-RAM IaaS 磁性 MRAM TDK 相变内存

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IBM与日本TDK达成联合开发所谓STT-RAM。在STT-RAM中,加到磁铁上的电流会改变磁场的方向,磁场方向的改变会引进阻抗的变化,不同的阻抗代表“1”或“0”。

    根据目前的计划,IBM和TDK将在未来4年中开发采用65纳米工艺的原型STT-RAM产品。

    硅谷一家新创公司Grandis也在试图推出商业性STT-RAM产品。Grandis正在为潜在客户生产样品芯片,计划在明年末正式在市场上推出相应产品。

    此前,IBM一直在开发一种名为MRAM的更传统类型的磁性内存。但是,它在缩小这类芯片的晶体管方面遇到了困难。

    IBM负责非挥发性内存研究高级经理盖拉尔说,在缩小MRAM芯片时,需要提高磁场强度,这几乎是不切实际的。要采用比65纳米工艺更先进的工艺,我们必须找到一种写数据的新机制。

    IBM生产出了MRAM原型产品,但使用了较落后的工艺。IBM还没有推出商品化的MRAM产品。尽管已经推出了商品化MRAM,但飞思卡尔最近对这种技术的“寿命”表示了怀疑。

    在上周的“闪存峰会”上,飞思卡尔的大卫表示,MRAM可能不适用于比65纳米更先进的工艺。

    盖拉尔表示,STT-RAM和相变内存可能是未来非挥发性内存的二种可能的技术。STT-RAM的速度较高,但相变内存的存储密谋更高。他说,STT-RAM的的寿命可能会较长。

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