相变内存：有望取代闪存的非易失性技术

相变内存（Phase Change Memory，PCM）是一项以Intel、Numonys和三星等厂商为先驱的新型非易失性技术，可以成为取代闪存的一种低成本、更可靠、更快速和更好的技术。

一些业内人士甚至认为，相变内存具有加速数据存储市场从硬盘向固态盘过渡的潜力。其中一位就是Numonyx首席技术官Ed Doller。Numonyx是一家由Intel以及ST Microelectronics创建的合资公司。

Doller表示：“PCM是一项非常有前景的闪存替代技术，它将让整个行业继续自信地从HDD过渡到SSD。”

仍处于初期阶段的PCM

然而，PCM仍然处于试制晶圆的阶段，这项技术还要面临一系列问题。Numonyx和三星公司（三星正在针对Numonyx的PCM产品开发市场规范）什么时候可以交付具有商业价值的产品呢？这种产品的成本是否能够与闪存在价格方面一较高下？

惠普行业标准服务器产品经理Richard Tomaszewski表示：“PCM具有较高的读写速度、低易失性和高存储密度，能够弥补NAND闪存的缺点以及传统硬盘的局限性。因此，有些人认为PCM将成为继NAND闪存之后的下一代技术。”

不过Tomaszewski表示，还有一些其他非易失性记忆体技术——包括电阻记忆体（RRAM）和自旋极化随机存取记忆体（STTRAM）——可能成为可行的替代技术。

Tomaszewski表示：“这些技术仍然需要进一步的测试和开发来证明他们是否可靠。高数量和高产出率是成功的技术转型的关键。”

他表示，为了取代现有技术，新技术必须在可靠性、耐用性以及服务寿命等方面与现有技术持平或者更好。

他说，一项新技术从试制晶圆到投入生产可能需要数年时间以便获得足够的产量来达到规模可行性并满足可靠性和耐久性预期。