Ovonyx与奇梦达签订相变内存技术许可协议

Ovonyx公司与奇梦达股份公司近日宣布，双方就采用Ovonyx和奇梦达的相变随机存取存储器（PCRAM）相关技术专利及知识产权的内存产品，签订长期交叉许可协议。根据该协议规定，Ovonyx公司将大力支持奇梦达相变内存产品开发项目。

Ovonyx与其最大的股东Energy Conversion Devices发明并率先开发了PCRAM技术，对PCRAM的情况非常了解，包括相变内存设备、材料、加工、设计、模型制造和性能优化。Ovonyx PCRAM技术采用可逆相变存储过程，能够实现高性能、高密度、阵列寻址式半导体存储器技术，该技术可替代闪存和DRAM存储器，同时也可应用于微控制器和可重构MOS逻辑器件等嵌入式应用。

奇梦达多年来一直从事内存产品的研发，包括目前与IBM和Macronix合作进行的研发项目，具备丰富的经验并在相变内存领域拥有多项重要知识产权。作为奇梦达内存部业务的一部分，奇梦达今后将继续从事相变内存技术的研发，并推动其实现成果转化。

“Ovonyx的PCRAM技术有可能给闪存和DRAM业务带来革命性变化。”奇梦达总裁兼首席执行官Kin Wah Loh指出，“在Ovonyx的大力支持之下，我们将加大该新兴技术的研发力度，推动其实现成果转化。”

“奇梦达拥有多个300毫米晶圆厂以及世界一流的开发团队，这为生产极具竞争力和创新性的PCRAM内存产品提供了绝佳的平台。”Ovonyx总裁兼首席执行官Tyler Lowrey指出，“我们非常高兴，同时也期待与奇梦达合作开展PCRAM产品开发项目。”

奇梦达简介

奇梦达股份公司是于2006年5月1日从英飞凌科技股份公司分拆出来的全新存储公司，于2006年8月9日在纽约证券交易所公开上市。奇梦达是全球领先的DRAM存储产品制造商。2006年前9个月，其DRAM销售额高居全球第二位（根据行业研究公司Cartner Dataquest的初步预计）。2006财年实现净销售额3.81亿欧元。奇梦达在全球约有12,000名员工，在3大洲拥有5家300mm晶圆厂，并运营5家大型研发机构，包括位于德累斯顿的研发中心。奇梦达是PC和服务器制造商所需的DRAM产品的领先供应商，目前，其发展重点是应用其节能沟槽技术生产面向图形应用、移动应用和消费类电子装置的存储产品。如欲了解更多信息，敬请访问www.qimonda.com。

Ovonyx简介

Ovonyx公司负责实现最初由Energy Conversion Devices公司（NASDAQ:ENER——参见www.ovonic.com网站）S. R. Ovshinsky发明的专有相变半导体内存技术的成果转化。Ovonyx公司的非易失性内存技术比传统的闪存技术能够提供更快的写入速度、擦除速度和更长的循环使用时间以及更加出色的新一代光蚀刻缩放性能。此外，该技术还具备制造工艺简单的优势，只需采用少许掩模步骤，即可将非易失性内存嵌入半导体芯片。Ovonyx通过技术许可形式以及与奇梦达、BAE Systems、英特尔、ST微电子、三星、Nanochip和尔必达内存等公司进行合作开发，致力于实现本公司阵列寻址式内存系统的成果转化。如欲了解更多信息，敬请登录www.ovonyx.com。