全新相变内存技术将比闪存快1000倍 寿命10万年

当前，闪存技术面临着45nm的危机，而号称能成为闪存接班人的技术也在不断涌现，宾夕法尼亚大学的研究人员为这个候选名单又增加了一位成员。该校材料科学与工程学系的助理教授Ritesh Agarwal带领的团队研究出了一种新的相变内存（Phase Change Memory）技术，该技术基于自聚合（Self-assembling）的锗磅化锑纳米线路（Nanowire）——也是一种相变材料，其结构可以在晶体和非结晶之间转变，并以此来进行数据的读/写。

和现有的硅光刻生产技术相比，该纳米线路的直径只有100个原子，采用自聚合，化学反应物质在低温和纳米级金属催化剂材料的作用，自动结晶并聚合成特定的纳米线路，它的直径为30~50nm，同时长度仅为10微米的级别。

第一次测试的结果和Agarwal小组公布的数据是一致的，数据写入、擦除和恢复的过程只需50纳秒，这一速度要比闪存的平均速度快1000倍，同时功耗大幅降低，每一bit只有0.7mW。此外，该器件的耐用性极强，Agarwal声称其使用寿命可达10万年。

号称可以接替闪存的候选者不少，不过大部分至少都有一个关键性的缺陷——通常是容量/密度达不到要求，Ritesh Agarwal表示，他的相变方式有达到“TB级”的“潜力”，这也是当前闪存发展的方向，不过Agarwal指出，该技术的基本概念已经得到了验证，现已进入整合期。他同时强调，一旦该技术最终能够完成商品化，完全有能力和同容量的闪存进行竞争。

不过这一技术还面临着很大的难题，离产品上市还有很远的距离，Agarwal表示，至少需要8到10年。