科技行者

行者学院 转型私董会 科技行者专题报道 网红大战科技行者

知识库

知识库 安全导航

至顶网存储频道供应过剩 NAND及DRAM行情短期进一步恶化

供应过剩 NAND及DRAM行情短期进一步恶化

  • 扫一扫
    分享文章到微信

  • 扫一扫
    关注官方公众号
    至顶头条

美国iSuppli调研结果显示,由于供应过剩与价格暴跌,DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。

作者:hyy 转载/原文:国际电子商情 2007年11月28日

关键字: 内存 闪存 DRAM N-Gage

  • 评论
  • 分享微博
  • 分享邮件

美国iSuppli调研结果显示,由于供应过剩与价格暴跌,DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。

NAND闪存方面,预计512M产品全球平均单价(ASP)将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单价在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分别为6%与8.4%。但是在第四季度,随着价格下跌,行情出现恶化,短期内很难恢复。iSuppli首席分析师Nam Hyung Kim表示,此次价格下跌的主要原因韩国内存厂商将生产能力从DRAM转移至NAND闪存,从而导致了供应过剩。

DRAM的行情方面,受到预计之外的2007年第三季度的收益下降及2007年11月的季节需求低迷的影响,预计将进一步恶化。2007年9月以后DRAM市场价格已跌至生产成本以下,512M容量DDR2产品的价格已经崩溃。在亚洲市场上,现货价格已经跌破1美元。受到此次价格下跌的影响,2007年第四季度DRAM厂商的业绩预计将趋于恶化,DRAM市场整体收益的恶化将持续至2008年第一季度。

不过,iSuppli预测,在今后几个季度内,内存市场将会逐渐恢复。在库存减少及产量(按bit换算)减少的推动下,DRAM市场将首先恢复,多数厂商将在2008年第二季度实现盈利。另一方面,NAND闪存的行情在第二季度仍将恶化,到第三季度将开始反弹。但是,这一预测的前提是内存厂商不进行会导致DRAM价格进一步下跌的增产,市场的恢复也可能会因厂商的动向而推迟。

    • 评论
    • 分享微博
    • 分享邮件
    邮件订阅

    如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息,那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。

    重磅专题
    往期文章
    最新文章