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市场上1Gb的DDR2芯片已正式跌破2美元大关,使得其有机会提前到2008年第二季度一举跃升为市场主流规格,虽然DRAM市场处在供过于求状态,但DRAM厂商正加速脚步采用70纳米制程技术投产1Gb的DDR2芯片。
集邦科技(DRAMeXchange)表示,尽管近期512Mb的DDR2的eTT芯片价格虽有回稳趋势,但受到整体市场需求依然冷清影响,加上1Gb的DDR2的eTT芯片价格跌幅过快的情形下,因此预计512Mb的DDR2的eTT芯片价格可能下探并跌破前一次低点0.9美元关卡价位,而当前1Gb DDR2的eTT芯片也已正式跌破2美元。
正因为跌破2美元大关后,DRAM厂商已意识到,1Gb的DDR2芯片将有可能提前到2008年第二季度成为市场主流规格,目前1颗1Gb的DDR2的eTT的价格已经逼近2颗512Mb的DDR2的eTT的价格,这势必将带动1Gb DDR2的eTT与512Mb DDR2的eTT世代交替,并加速2GB内存模块跨入主流市场。
DRAM厂商认为,1GB的DDR2内存模块,使用1Gb的DDR2的eTT芯片只需打上单面芯片,如此一来不但节省打件时间,更可以省下部分组件所需要的费用,整体加工费约可减少8%,对于客户来说,在这不景气的状态下,也不失为一种节成约本的方法。
此外,随着Vista SP1于2008年放出,将会带动市场的升级需求,集邦科技也预期2007年底前搭载2GB内存的笔记型与桌面计算机的市占率将提升至6~7成,而笔记本电脑因为内部空间的限制,必须搭载单只2GB的内存才能保有未来的升级空间,以因应Vista庞大的内存需求。DRAM厂商认为,随着DRAM厂商70纳米制程的转进与1Gb的DDR2芯片持续量产,2008年第二季度左右1Gb的DDR2芯片将会提前成为终端市场主流规格。
而为了因应这一市场趋势,DRAM厂商各个是加足马力,看看能否在2008年第一季度顺利转换成70纳米制程产能,如此才有机会承接1Gb的DDR2芯片成为市场主流业务。
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