至顶网›存储频道 ›Spansion 09年初投产电荷捕获型NAND闪存

Spansion 09年初投产电荷捕获型NAND闪存

飞索半导体（Spansion）将着手投产NAND型闪存, 计划2009年初供应基于电荷捕获(Charge Trap)型单元的45nm产品。

作者：hyy 转载/原文：技术在线 2007年11月22日

飞索半导体（Spansion）将着手投产NAND型闪存, 计划2009年初供应基于电荷捕获(Charge Trap)型单元的45nm产品。

该公司此前向存储器市场投放了与NAND型具有接口兼容性的NOR型闪存“ORNAND”。此次采用了NAND型的单元阵列，大容量数据的同步写入速度比原来的ORNAND更高。产品的容量“将根据用户的要求来决定”（日本飞索），没有公布有关容量的具体数字。

将NOR型单元的技术经验应用于NAND型

单元技术采用与在氮化膜中保存电荷的“SONOS（silicon-oxide-Nitride-oxide-silicon）”型类似（SONOS-like）的结构，面向此次的产品新开发而成，其中采用了该公司的核心技术——电荷捕获型单元“MirrorBit”的技术经验，不过并未公布是否导入了多位化技术。

如果该公司按照计划供应此次的产品，就有可能在业界首家投产基于SONOS型单元的NAND型闪存。各NAND型闪存厂商一直在开发浮动栅型单元的后续技术，不过投产预计要等到2009年30nm工艺投产以后。

业界热点: