市场环境极端恶劣 海力士转战非内存和手机CMOS影像传感器事业

继三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）半导体部门因产能过剩造成价跌并牵动获利缩水之后，海力士（Hynix）也不好过。据路透社（Reuters）的报导，因3Q净利缩水幅度过大，不但让市场跌破眼镜，也低于海力士原先的目标，18日股价重挫至22个月来新低点。

海力士指出，继2Q跌价43%之后，DRAM均价在3Q小涨3%，出货量增长17%；反观NAND Flash均价2Q虽上扬25%，3Q却下跌6%，出货量则增加92%。展望未来，海力士宣布将重启非内存事业，制造数字相机和照相手机专用的CMOS影像传感器，和加强手机内存事业及自家后段封装产能，以Mobile Solution挑战美光的市场龙头地位。

海力士3Q营收虽上扬28%达2.34兆韩元，惟净利1,680亿韩元（约1.83亿美元）比2006年同期3,838亿韩元衰退56%。营业利益为2,630亿韩元，远远低于预估的3,390亿韩元。该公司指出，3Q净利之所以低于营业利益，主要是因为利息支出以及摊提偿债费用所致。

CJ Investment & Securities分析师Song Myung-sup认为，除非海力士在4Q能大动作削减成本，否则该公司第四季度DRAM恐陷入亏损，NAND Flash获利也可能萎缩。

经历了2007年上半供给过剩、价格崩盘的低潮，DRAM供货商原本希望年底假期的消费旺季需求能带动DRAM景气由谷底翻扬。可惜的是，均价（ASP）回升在初夏仅昙花一现，随后又陷入颓势，对于市场何时复苏，分析师们也分成数派，众说纷纭。

根据集邦科技（DRAMeXchange）指出，512MB的DRAM现货价格在2007年1月2日为5.55 美元，但到了10月15日重挫至1.03美元。尽管投资人对下半年海力士业务主力的DRAM市况寄予厚望，许多分析师却担忧，景气低迷之下海力士能否安然度过。

对于未来，Hannuri Securities分析师An Sung-ho预期，第四季度DRAM跌价将超过2成，海力士该部门出现营业损失（Operating Loss），看来势不可免，此外，因进入需求淡季，NAND Flash均价走势可能出现类似跌幅。内存产业要等到2008年第一季度才见曙光，短期若有价格回涨都无法持续。而海力士资深副总裁Kwon Oh Chul认为，DRAM需求可望在4Q后期获得改善。

海力士营销副总裁Arun Kamat则表示，海力士进入手机用内存市场相当重要的，尤其要加强后段封装的产能。手机用内存产品，必须用到MCP以于POP两种不同封装方式，将不同的内存封在同一颗芯片中，如这部分再委由外面封装厂替海力士完成，则海力士将无法充分掌握到封装的良率。

据路透综合分析师意见，预估海力士2007全年净利可能下滑26%达1.49兆韩元。缩小增产幅度，是内存产业目前的唯一希望，预期2008年各供货商纷纷转作尺寸较小的芯片之时，可有效降低内存产能。

另据彭博信息（Bloomberg）报导，海力士全年支出预算将维持4.4兆韩元不变，其中有727亿韩元在4Q用于升级、扩充现有厂房设备。该公司宣布2008年资本支出将缩减10%，仅达4兆韩元。