东芝支付三星专利权金　明年投产OneNAND闪存

据朝鲜日报报导，日厂东芝（Toshiba）已支付三星电子（Samsung Electronics）One NAND型闪存的相关专利权金，并计划于2006年起开始投产。

三星电子半导体社长黄昌圭日前于与贸易协会高阶主管的餐叙中透露，东芝已支付One NAND型闪存专利权金，并将自2006年起投产；报导也提到，尽管手机供货商对于One NAND型闪存的需求急速上扬，然仅三星电子独家生产One NAND型闪存，明显供不应求。

业界1位不具名人士指出，2001年三星拒绝当时在NAND型闪存市场拥有50％市占率左右的东芝所提出合作机会，独力发展NAND 型闪存事业，而今三星电子在该市场拥有主导权，反倒变成东芝需支付专利权金予三星电子，真可谓风水轮流转。