三星将以60纳米制程打造2Gb OneNAND闪存

根据彭博信息（Bloomberg）报导，三星电子（Samsung Electronics）将以60纳米制程技术，开发出2Gb容量OneNAND型闪存，该新款芯片读取速度更快，不过写入速度比标准型NAND型闪存慢一些，但仍旧较NOR型闪存要快；OneNAND是在NOR与NAND型闪存间的折衷解决方案之一，兼顾读取和写入速度的需求。

三星闪存营销总监Don Barnetson表示，OneNAND产品在效能与容量上拥有优势，应用60纳米制程技术打造，可获得更高的成本效益，得以在快速成长的市场中获得一席之地，OneNAND并适合应用在多媒体手机、数字相机、记忆卡、个人计算机与数字电视等领域。

根据三星的资料，新版本的2Gb容量OneNAND型闪存，相较旧版的1Gb容量芯片，写入速度从原本的每秒9.3MB提高到每秒17MB，也比标准型NAND型闪存每秒13MB快，亦远远超过NOR型闪存的每秒0.5MB；三星并指出，如果多颗芯片采用交错方式，则一组8颗的OneNAND芯片，能提供高达每秒136MB的写入速度。

至于读取速度则已达到每秒108MB水平，大幅超过标准型NAND的每秒27MB，但仍低于NOR型闪存每秒266MB的高读取速度。

由于OneNAND的优点不但是写入速度快，适合提供给数字相机用记忆卡写入照片外，原本NAND型闪存为人诟病的读取速度也获得大幅改善，并能应用在手机、消费性电子产品等范围。

三星近来还结合OneNAND与硬盘机为一体，除了提高效能，也减少电源的耗损，因为OneNAND型闪存可以当作很好的缓冲存储器，这是OneNAND型闪存应用的新范畴，甫于2006年5月于微软（Microsoft）在西雅图举办的WinHEC 2006中展示过。

目前市场上除了三星的OneNAND兼顾NOR与NAND型闪存解决方案外，还有超微（AMD）与富士通（Fujitsu）合资的Spansion，它使用MirrorBit技术生产出结合2种不同架构的ORNAND型闪存，反攻NAND型闪存市场。

三星目前尚未说明何时能以60纳米技术量产OneNAND型闪存，但业界预估若顺利量产，届时对全球闪存市场将造成相当程度的影响。