东芝：不让三星在NAND市场专美于前

NAND闪存的未来发展趋势是什么？这可能在不同的厂商中就会有不同的见解，不过来自NAND发明者，也是当今最大的NAND供应商之一东芝的声音，可能很有代表性。在近日于日本东京召开的国际数字会议上，东公司作了主题为“对存储器时代的无限挑战”的讲演。

此次的讲演人是东芝半导体公司的副社长齐藤升三。他首先透露，“NAND闪存的年度bit出货量已经超过了DRAM（译注：NAND的单芯片容量要比DRAM大得多，DRAM的单芯片最大容量现在只到2Gb左右，而NAND已经发展到32Gb）。”另外，他还预测，到2008年，NAND的销售额也将达到3万亿日元的规模而与当年的DRAM销售额持平。

对于今后的NAND闪存市场，齐藤表示，如果NAND价格不断下降，也将促进市场不断扩大。比如在2004年NAND闪存的价格就下跌了40%之多，但2005年iPod nano登场了，最近NAND闪存的价格又以50%的幅度下跌，进而又使它以更大的规模进入了家庭录像领域。“用摄像机录制1小时的HDTV节目，大约需要3GB-4GB的容量，因此NAND用于这一领域是早晚的事情，而且PC用的基于NAND闪存的固态盘（SSD，Solid State Disk）也将逐渐普及”，齐藤升三表示。

在东芝看来，NAND闪存的价格下跌不见得是坏事，NAND闪存在价格的不断下跌和容量的不断提升中扩大自己的领地，从早期的数字相机、手机、闪盘再扩展到摄像机，并预计在2010年大规模在PC机中应用（SSD或是混装硬盘）

对于大容量化技术，齐藤升三也发表了自己的看法，每个存储单元（Cell）存储4bit的16值NAND闪存将在2008年开发出来。但是，根据分析，届时NAND闪存的读写速度将变得很慢，这也将是重点攻关的课题。而解决这一性能退化问题的关键就在于控制器芯片（IC）。“NAND闪存的性能退化通过控制器IC的作用让用户不可察觉，因此控制器IC将是支撑NAND未来发展的重点环节，也正因为如此，东芝加大了控制器IC方面 的开发和关注力度，”齐藤升三表示。另外，30nm生产工艺也已经显现出来，2009年后半年可能实现，不过现在的计划还不能定到很细的程度，因为应对30nm生产工艺的EUV曝光装置还未确定。

东芝的NAND技术路线图，在2008年预计实现4bit/Cell的16值设计，到2011年进而开始以30nm级工艺进行生产

对于与全球第一大闪存供应商三星公司的竞争，齐藤升三也表示出了“寸土必争”的决心，不会让出任何的市场份额。“我相信，NAND市场就是我们两家公司分享的态势吧，为此，东芝也将继续加紧技术的开发与市场的开拓。”