OneNAND+LBA-NAND！三星和东芝闪存技术交互授权

根据这一互惠协议，在有效期内，三星将把OneNAND和Flex-OneNAND两种混合（fusion）存储器芯片规格授权给东芝，东芝方面则是单片封装的LBA-NAND和mobileLBA-NAND芯片。同时两家公司还将共同开发和经营基于兼容各项原创技术的产品。东芝和三星还计划于明年发布基于各项技术的授权规格的产品。该协议生效之后，OEM厂商将有更多的存储器芯片供应商可供选择，能够减少在特定芯片上对单一供应商的过分依赖。

东芝半导体闪存技术执行官Masaki Momodomi说：“这一协议的签定将对市场拓展产生很大的推动作用，我们相信这将促进坚定的全新增长。这将使我们的客户有更多的选择——无论是在高性能技术还是在供应商方面。我们相信这一协议将会对整个行业带来积极的结果。”

三星电子半导体业务闪存组高级副总裁Yun-Ho Choi说，“在协议中涉及的具有高性能规格和易于设计特色的NAND闪存存储器将为CE应用设计者带来多的选择，并且节省开发成本。三星将会提供多种的NAND方案和外围接口，更好地满足移动及其他消费应用的高性能闪存的可预期的需求增长。”

三星的OneNAND和Flex OneNAND均为在一颗芯片上集成NAND核心、SRAM、错误纠正引擎和逻辑电路的混合存储器，接口为NOR。Flex-OneNAND可划分为SLC和MLC两部分，为消费电子及其他应用提供高度灵活性与高性价比闪存存储方案，同时能有效减少开发时间。

东芝LBA-NAND和mobileLBA-NAND均为在单片封装内集成了控制器和NAND闪存的非易失性存储器，针脚和指令序列均与传统的NAND闪存存储器兼容，但采用了逻辑地址访问方法。LBA-NAND面向于移动消费产品，稳如数字音频播放器和个人媒体播放器，mobileLBA-NAND则是为手机应用而设计。两者均可减少开发成本和缩短开发周期。