东芝将NAND闪存读写速度提高一倍

东芝将提高NAND型闪存的数据读写速度。将在2006年内推出速度为每秒12MB，容量达16Gb的产品，相当于现有产品的2倍。此举不仅有利于缩小芯片面积，还可增强完善过去读写速度较慢的自主“多值技术”（MLC），可与韩国三星电子抗衡。

东芝将在2006年推出布线宽度为55nm的产品，以求提高读写速度。东芝目前的主力品种为布线70nm的产品，读取速度为每秒6MB。在微加工技术不断提高的过程中，将对电路结构进行改进，从而使读写速度实现翻番。该公司现已在横滨市研究开发基地完成对基础技术的验证工作。

东芝具有优势的是多值技术，可在每个存储电路中记录“00”、“01”、“10”和“11”4个信号模式。三星目前正在生产2个信号模式的产品。从理论上来讲，东芝能够利用一半的面积制作出相同存储容量的产品。