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作者:Zxm(整理) 2006年4月5日
关键字: OneNAND
三星电子公司近日宣布,开始采用70nm生产1Gb容量(128MB)的OneNAND型存储器,OneNAND存储器基于NAND闪存设计,内嵌传统的RAM为缓冲区,在读性能方面可以媲美NOR闪存,而在写入性能方面则继承了NAND的优势。
三星表示,已经有超过100款使用OneNAND的移动设备在设计之中。
以前出品的OneNAND是以90nm工艺生产,以此转为70nm工艺,并特别提高了读取速度,达到了108MB/s,较90nm时提高了60%,而传统的NAND闪存的读取速度一般只有16.2MB/s。另外,70nm的OneNAND还允许在83MHz的时钟频率下进行同步数据访问。
在写入速度方面,70nm工艺与90nm工艺并没有变化,仍然是9.3MB/s,但仍比传统NAND闪存的8MB/s更高。
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