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挑战者出现:三星或将终结Optane的性能优势

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NetApp公司的Plexistor服务器存储级内存(简称SCM)加速项目目前正在测试中使用Optane与Z-NAND存储介质。英特尔/美光与三星之间正爆发一轮新的竞争,而结果目前尚无法断言。

来源:至顶网存储频道2017-11-19 13:27:28

关键字: Optane 三星

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与英特尔连同美光公司打造的3D XPoint相比,韩国闪存与DRAM芯片制造商三星的Z-NAND究竟表现如何?

Z-NAND为三星打造的优化型闪存技术,在本质上属于SLC(单层单元)配合定制化控制器共同构成的高速存储方案。

Optane的出现令Z-NAND无法继续保持沉默,而这场广泛的新一代存储技术竞赛也由此拉开序幕。

XPoint超越NAND闪存的优势之一,在于其拥有更低的访问延迟——读取与写入延迟皆为10微秒,相比之下NVMe SSD的读取延迟则高达110至120微秒。将延迟降低至十分之一自然是一项非常突出的竞争优势。

下面我们通过表格对Optane P4800X驱动器与三星的Z-NAND SZ985作出比较,且皆选择二者的插入卡形式以及类似的容量水平:

 

容量

/写入 IOPS

/写入带宽

使用寿命

/写入延

Optane P4800X

3D XPoint

750 GB

55万

2.4/2.0 GB每秒

41 PBW

10/10微秒

SZ985

SLC NAND

800 GB

75万/17万

3.2/3.2 GB每秒

42.7 PBW

12-20/16微秒

SZ985的使用寿命结果计算自其每天30次全盘写入以及假定五年的整体质保周期。

相较于P4800X,这款三星驱动器拥有更高的随机读取IOPS,而随机写入IOPS的比较优势甚至更为明显。事实上,其在连续读取/写入带宽方面甚至达到了Optane这位对手的两倍半到三倍。

 挑战者出现:三星祭起杀器,或将终结Optane的性能优势

三星SZ985驱动器

如果我们的计算结果无误,那么二者的使用寿命基本相当,Optane的延迟水平略低于Z-NAND——但二者的差距并不算大。

Z-NAND驱动器的最差一项为20/16微秒读取/写入延迟,但在一般场景当中,这一水平仍然远远好于传统NAND闪存的110到120微秒。

三星公司建议将这款产品用于加速MongiDB等数据库的IO。而在对处家RocksDB键值存储库(属于MongoDB的一套后端)进行测试时,三星表示相较于原有三星PM1725a SSD(一款48层3D TLC NAND产品),其能够将数据吞吐量提升2倍,延迟则缩短至原本的一半。

而在被用于缓存Memcached与Fatcache时,其能够提升1.6倍的数据吞吐量提升,同样显著优于PM1725a。

这款产品未来能否获得成功,在很大程度上取决于其实际售价以及可用的软件支持选项。如果三星公司能够充分拉开与Optane之间的价格差距,提供可靠的产品供应并展现出良好的系统软件支持能力,那么其很可能大量夺取Optane的市场份额。根据我们的猜测,Z-NAND DIMM也可能成为三星公司新产品的理想发展方向——当然,前提是其能够获得服务器OEM厂商的支持,同时有能力搞定操作系统与系统软件方面的问题。

NetApp公司的Plexistor服务器存储级内存(简称SCM)加速项目目前正在测试中使用Optane与Z-NAND存储介质。英特尔/美光与三星之间正爆发一轮新的竞争,而结果目前尚无法断言。

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