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三星方面宣布其将推出4层单元闪存，即QLC NAND芯片。目前容量最高的闪存单元是具有每单元容纳3 bits的TLC（三层单元）。然而由于QLC芯片所用材料较TLC而言，其读写速度更慢且使用寿命也更低，所以QLC芯片的制备难度也随之增大。
SSD可并行访问多块晶片以提升访问速度，同时还能够凭借冗余配置以延长其耐用性。
迄今为止，东芝公司与西部数据公司，东芝方面的代工合作伙伴已经开始运行配有768 Gbit容量的QLC芯片产品生产线。而如果该合资企业没有因为东芝方面出售其存储器业务而引发关系决裂，那么该芯片预计将于明年推出。
一位三星员工在接受Business Korea采访时表示：“尽管目前QLC NAND闪存尚未进入批量生产阶段，但公司内部已经开始着手进行这方面的准备工作了。”
此外，QLC NAND芯片将采用三星公司的V-NAND（3D NAND）技术，并且其晶片容量将可达到1 Tb（128 GB）。据了解，该芯片将会采用三星公司的第五代V-NAND技术，并且由于该技术的第四代为64层V-NAND，那么其第五代将可能达到96层。
在此之前，三星还曾谈到一款容量为128 TB的2.5英寸QLC SSD。另外，SK海力士也在准备推出QLC闪存芯片。
根据HIS Markit的统计报告显示，QLC闪存芯片预计应该于2018年第一季度推出，且其市场份额在2018年底之前将达到5.1%，2021年则可能达到30%。
如果QLC定价明显低于TLC，那么其将开创适用于QLC的全新使用环境，具体包括高容量与快速访问近线闪存，低访问延迟归档或对象存储等。
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