东芝推出43nm的16Gbit SLC NAND闪存

东芝公司28日宣布了将43nm制造的SLC型NAND闪存“TH58NVG6S2EBA20”等16种型号产品在2009年底一季度起依次开始批量生产。

43nm SLC型NAND闪存

以43nm制造的SLC型NAND闪存具有高速及高信赖度的特征。由于采用的材质及技术使数据保存量提高，所以该产品相当于56nm的SLC产品存储量的两倍之多。与43nm 16Gbit MLC产品相比较，SLC产品的写入速度约为它的2.5倍。

该产品将有可能延伸至手机、办公自动化设备、服务器等需要高速读写的装置中使用。

这16种产品容量依次为512Mbit～64Gbit，16Gbit/32Gbit/64Gbit三种产品装载了SLC业界最大的16Gbit单元。

以16Gbit型号“TC58NVG4S2EBA00”为例，该产品所需电源电压为3.3V，延迟时间为400μs/page，清除时间为4ms/block，读取时间为40μs（1st）或25ns（Seria）。物理尺寸为14×18mm（宽度×深度）。