SLC类型的Flash存储器写入速度更快(存取时间与吞吐量较MLC快了2~3倍以上),寿命更长(允许的写入/删除循环次数更多),也更可靠,更能胜任写入快取的角色。相对的,MLC类型Flash存储器的写入速度明显慢于SLC,可靠性亦较差,而且若某个存储器单元(Cell)写入失败时,可能造成的影响也更大,甚至会影响到先前写入的数据。
ZDNet至顶网存储频道8月11日消息 NAND Flash存储器主要有两种:SLC(Single Level Cell)与MLC(Multi Level Cell)。两者应用在快取操作时,由于基本构造上的差异,也会有不同的效果。
SLC类型的Flash存储器写入速度更快(存取时间与吞吐量较MLC快了2~3倍以上),寿命更长(允许的写入/删除循环次数更多),也更可靠,更能胜任写入快取的角色,也能用于读取快取。缺点是单位容量成本较高(与MLC相差2~5倍)。
相对的,MLC类型Flash存储器的写入速度明显慢于SLC,可靠性亦较差,而且若某个存储器单元(Cell)写入失败时,可能造成的影响也更大,甚至会影响到先前写入的数据,所以不适合用作写入快取。不过MLC Flash存储器的读取效能相当好,成本明显较SLC更低,十分适合担任读取快取的角色。
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