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英特尔（Intel）公司日前表示，计划在2008年使用65纳米制造过程生产嵌入式NOR闪存芯片，主要面向于消费电子产品、有线通信设备以及行业应用，该公司称，先进的制程将会提升产品的性价比，同时延长了产品寿命周期。
“大部分嵌入式设计的生产周期仍然要长于手机或其他消费类产品，”英特尔闪存产品群组总经理Glen Hawk说：“英特尔NOR无线产品已经采用该领先的制程进行大量生产。我们利用这些技术和经验来加速我们的产品开发以及生产进度。 英特尔公司透露，嵌入式NOR闪存采用并口和串口规格。看来，英特尔似乎使用“嵌入式”名称来指一套应用，而非表明NOR闪存是嵌入到一个逻辑芯片中。
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