NOR闪存——在下一个十年仍旧意义非凡且创新不断

自从在上个月主持了的闪存峰会“改进NOR闪存性能”分组讨论会后，我陆续与几个客户进行了交谈。嵌入式设计人员仍然对NOR闪存抱有极大的兴趣，因此当他们听说Spansion正在持续对NOR闪存创新持续投入后，感到非常高兴。Cliff Zitlaw 在讨论会上做了主题演讲，内容是有关于我们的高速FL-S系列闪存所带来的优势，该产品为四口DDR SPI，最高可运行在80MHz。由于本次讨论会的大部分时间都集中在NAND闪存，因此人们可能会误以为NAND闪存正在逐步替代NOR闪存，不过事实上它们仍然会长期共存。

在下一个十年，汽车、通信、以及工业平台将仍将持续产生对NOR闪存的需求，这主要是归功于NOR闪存连续地为几乎是“即开即用”开机以及芯片内执行（XiP）提供高可靠性以及卓越的随机访问，可支持极端环境下的应用，运行寿命至少达到10年。这是NOR闪存区别于NAND及其他新兴技术的重要特点。许多应用依然依赖NOR闪存来运行关键启动代码（boot code），实现快速读取性能以及高可靠性。NOR半导体能够实现至少20年的数据存储、卓越的读寿命以及在极端气温环境下（零下40摄氏度到105摄氏度）正常工作的能力。

 在接下来的几篇Spansion博客文章中，我们将就以下话题进行讨论：

• Spansion的“长期支持”计划

• 我们大获成功的FL-S系列产品读取性能通过四口DDR模式，理论上可获取接近80MB/s的性能，可以让客户的启动更加迅速。在某些情形下，客户可以去掉外部DRAM，直接从FL-S设备上执行操作

• ADAS（先进驾驶辅助系统）应用所需的极端温度下的性能表现需求