NAND闪存发展危机 微影技术已落后数年

美系NAND闪存厂商美光（Micron）近来针对全球NAND闪存市场未来发展发出警报，表示目前NAND闪存厂商制程技术发展相当快速且先进，但微影技术无法跟上NAND闪存厂商发展，尤其令人感到惊讶的是，微影设备商技术竟远落后NAND闪存厂商数年，几家NAND闪存厂商商为于未来顺利发展，还必须领先微影设备商，自行开发一些相关技术。

近来全球各大DRAM厂商为能有效运用旗下晶圆厂，加上NAND闪存市场增长率远高于标准型DRAM，促使多家DRAM厂商纷纷投入NAND闪存市场，就连台系DRAM厂商力晶及茂德，也相继宣布将投入NAND闪存市场研发及制造行列，其中，力晶更是大张旗鼓地兴建12英寸晶圆厂，希望能赶上新一波内存需求潮。

不过，正当DRAM厂商纷纷投入NAND闪存市场时，美光却提出警报，美光NAND闪存发展事业群副总裁Frankie Roohparvar表示，目前NAND闪存发展所遇到最大瓶颈在于微影技术，事实上，微影技术已远落后NAND闪存技术至少好几年。目前微影技术设备供货商完全跟不上NAND闪存厂商的技术，NAND闪存厂商已经领导了半导体业界的制程技术。

美光表示，现在其于50纳米制程技术，甚至在扫描机发展前便已完全准备好，美光必须先将微影技术给准备好，才有助于美光50纳米制程技术的顺利发展。目前193纳米浸润式扫描机到了45纳米制程可能已无法使用，至于下一代的浸润式扫描机，预计将可以使用到32纳米制程。

多家DRAM厂商指出，做NAND闪存的困难度确实较标准型DRAM要难上许多。NAND闪存发展不仅在微影技术上将出现瓶颈，过去采用NAND闪存架构到45纳米制程以下时，便会遭遇到一些物理极限的限制，因而发明了 SONOS架构技术，使DATA闪存到45纳米制程以下时依然可继续走下去。

目前全球各大DATA闪存厂商无不想尽办法，希望能不断改良SONOS架构，使其早日顺利量产商业化。不过，SONOS仍有瓶颈待克服，最快要到2008年才会见到类似SONOS架构的TANOS产品量产。TANOS结构系由钽金属、氧化铝（高K材料）、氮化物、氧化物和硅晶层所组成。TANOS结构的采用，也象征产业界首次将金属层和高K材料结合应用于NAND设备中。

由于各大半导体厂已意识到，如果不采用SONOS架构，应无法再将DATA闪存带进下一世代，因此，包括飞思卡尔（Freescale）、赛普拉斯（Cypress）等大厂，均已经开始积极投入研发。