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8月9日报价:NAND闪存和DRAM携手大涨

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DRAM合约价在8月份继续上涨,然而NAND闪存的涨势更加猛烈,尤其是在三星电子(Samsung Electronics)的晶圆厂出现了断电事件之后,

作者:hyy(编译/整理) 2007年8月10日

关键字: 内存价格 DRAM N-Gage

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DRAM合约价在8月份继续上涨,然而NAND闪存的涨势更加猛烈,尤其是在三星电子(Samsung Electronics)的晶圆厂出现了断电事件之后,三星立刻提高了NAND闪存官方现货价格,同时力晶(PSC)也提升了eTT(有效测试)DRAM芯片的报价。

三星的韩国晶圆厂停电事故发生在8月3日,之后市场在密切关注NAND闪存的价格,内部人士透露,三星8Gb、16Gb和32Gb的MCL(多级单元,Multi-Level Cell)闪存的报价分别为9.50美元、18.50美元和18.50美元。

根据集邦电子(DRAMeXchange)8月9日的报价,MLC架构NAND闪存的8Gb、16Gb和32Gb最高报价分别为9.80美元、18.50美元和35.20美元。

在以往,三星是极少如此迅速地提升报价的,业内人士指出,这次价格调整反映了三星受停电的影响很大,该公司提高报价是为了补偿因为停电带来的损失。

不过也有业者认为,三星之所以提高报价,主要是因为2007年上半年存储器产品的利润低于预期值,停电事件不会对三星产生太大的影响。

三星NAND闪存上涨也影响到DRAM现货价,力晶将512Mb DDR2 eTT价格提升了10%,8月8日的报价已经达到了2.4美元,业内人士指出,力晶的调价是因为受到自身DRAM产能的影响。

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