三星力晶率先动刀 NAND和DRAM联袂大涨

韩系内存厂商三星电子（Samsung Electronics）跳电事件余波荡漾，8日三星开出NAND闪存的官方报价让模组厂商瞠目结舌，因为三星一口气将8Gb芯片由8美元调涨至9.5美元，32Gb芯片价格更高达35美元，三星阵营模组客户大喊吃不消，直呼这样成本价格怎能与东芝（Toshiba）及海力士（Hynix）阵营的同业打仗？无独有偶，力晶本周所开出DRAM现货官方报价，512Mb DDR2直接大涨近10%，同样让模组厂商苦不堪言，并使得原已呈现买气冷清的现货市场，营运变数更是徒增。

自从三星发生停电导致生产线暂停事件后，下游模组厂商和三星竞争对手都高度关注三星NAND闪存官方报价的变动情况，尽管三星下达封口令，极力淡化停电事件，然业界仍急着从三星8月上旬的官方报价来判断这次停电事件影响程度及未来的价格策略走向。模组厂商表示，三星8日开出最新NAND闪存官方报价，8Gb容量芯片从约8美元上调至9.5美元，16Gb芯片上调至18.5美元，32Gb芯片更是狂涨至35美元，远超乎市场预期。

原本业界多认为，三星应不会一下子把官方报价拉得太高，以免抑制市场的买气，如今三星却大幅涨价，简直是跌破业界的眼镜。部分模组厂商推测，三星这次停电受损的情况非同小可。因此，三星必须藉由大幅调涨官方报价来弥补产能的损失；不过，部分模组厂商则认为，三星2007年上半内存部门业绩未达预期水平，这次恐怕是刻意封锁消息，借机大调官方报价来大赚一笔。

值得注意的是，尽管三星这次大幅调高官方报价，但海力士并未跟进，东芝方面报价也相当持平，与各界原预期海力士等厂商可能会跟随三星脚步、大幅调高官方报价大不相同。不过，这情况对于三星阵营的模组厂商而言，就更值得忧心了，因为三星大幅涨价将模组厂商客户成本垫高，然海力士和东芝阵营的模组厂商客户成本却未同步调涨，这将使其在终端市场很难与同业竞争。

此外，三星跳电事件影响层面还不是仅限于NAND闪存涨价，连DRAM现货市场也被波及，事实上，台系DRAM厂对于调涨现货报价早已蠢蠢欲动，近期力晶便率先调涨DRAM现货报价，512Mb DDRII颗粒报价调高至2.4美元，一次涨足近10%幅度，力晶对此更是认为理所当然，原因在于三星一旦调整产能由生产DRAM转进NAND闪存，势必会造成DRAM产出量降低，价格可以说是不涨也难。

DRAM厂商也坦言，三星跳电事件发生后，对于下游客户未必是一件好事，最主要因素在于现阶段DRAM及NAND闪存现货市场买气仍显冷清，并未出现大量成交情况，这让模组厂商下单意愿原本就较为薄弱，如今三星调涨NAND闪存官方报价，加上力晶也同步调涨DRAM现货的官方报价，这将使得模组厂商未来在市场上的DRAM模组或NAND闪存卡将更难卖出。