NAND闪存8月合约价创下今年以来新高价位

三星电子（Samsung Electronics）上周跳电事件发生后，使得原本要开出的三星全球NAND闪存合约价再度顺延。9日市调机构纷纷对外公告8月全球NAND闪存合约价，主流规格8Gb的MLC一举调升将近20%，创下2007年以来新高水平，也一举站稳2007年新高价位。

集邦科技（DRAMeXchange）9日所公告的合约价来看，主流规格的8Gb的MLC芯片报价高价部分达到9.5美元，均价部分则落在9.02美元。与上月相比，高价部分调涨将近19%，均价部分调涨更高达近20%。之所以会有这样惊人的涨幅，最重要还是三星跳电事件后，全球NAND闪存需求变得更加强烈，且原本合约价市场需求度在苹果（Apple）的各项相关商品陆续推出后本来就相当强劲。

至于部分低容量的4Gb的MLC芯片涨幅也高的吓人，低价部分涨幅超过了30%，而英鼎认为主要是这类产品先前价格已进入超跌状态，此次调涨只是回到合理价位。

不过英鼎也进一步强调，已不是主流规格的4Gb的MLC目前不足以代表整体NAND闪存的市场状况，真正能反应NAND闪存市况的还是主流的8Gb及16Gb两款MLC产品。

而先前iSuppli 也于3日时指出，三星停电事件，至少将令目前市场供应短缺的情况延续至8月上旬。iSuppli本来预期市场短缺情况在8月初即有望结束。iSuppli指出，三星电子遭影响的NAND闪存产能约占全球总产能的35%。

不过，iSuppli仍不准备调高NAND闪存近期市况评定等级，主要是三星的竞争对手将会提高相关产能，进而降低三星生产线暂时停产的冲击，像是海力士（Hynix）在第三季度的NAND闪存会较第二季度增加100%。