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苹果大砍单 海力士NAND闪存剑指中国台湾

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全球NAND型闪存厂商海力士(Hynix)在60纳米MLC(Multi-Level Cell)制程问题持续发酵,近期传出苹果(Apple)在产品测试过程出现数据断讯情况,导致海力士60纳米制程NAND闪存遭退货,

作者:hyy(整理) 2007年8月3日

关键字: 海力士 闪存 N-Gage

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全球NAND型闪存厂商海力士(Hynix)在60纳米MLC(Multi-Level Cell)制程问题持续发酵,近期传出苹果(Apple)在产品测试过程出现数据断讯情况,导致海力士60纳米制程NAND闪存遭退货,由于事出突然,苹果遂将订单转给三星电子(Samsung Electronics),至于海力士遭砍单的该批NAND闪存芯片,日前已紧急转到台湾现货市场,最近内存模组厂商正全力寻求控制IC设计公司协助,让这批NAND闪存芯片能顺利出清。

内存模组厂商表示,海力士60纳米制程NAND闪存问题从6月延续至今,效应仍持续蔓延,尽管多家控制IC厂商都声称拥有解决方案可协助NAND闪存正常运作,但少有厂商能真正完全支持,因此,这批NAND闪存芯片在测试过程仍是问题频传,令厂商相当头痛。值得注意的是,自从经历2006年下半三星63纳米制程兼容性出错事件后,近期控制IC厂商在态度上已越来越小心,不敢再贸然拍胸脯保证,否则后续退货和赔偿问题恐如雪球般越滚越大。

事实上,海力士从70纳米转进到57纳米制程时,由于整体产出良率无法达到目标,海力士遂先将新制程暂定在60纳米,以便后续能顺利转进至57纳米制程,但这样的作法仍无法达到预期目标,在新制程产出NAND闪存无法与苹果产品兼容情况下,使得海力士遭到苹果砍单,苹果并转而向三星增加NAND闪存订单,因此,这次三星成为整起事件最大受惠者。

模组厂商指出,三星近来频向下游现货市场客户表示,所能提供货源已严重供不应求,未来几个月也会持续下去,惟目前三星新制程产能及供应数量有限,尚不至于对整个NAND闪存市场供需造成太大影响。对于海力士而言,由于新制程原本产能调配相对有限,就算无法卖给苹果,最后倒货时的业绩压力也有限,不至于引起恐慌性卖压,海力士也强调,新制程产品出货给苹果将逐渐顺畅。

控制IC厂商则指出,海力士制程转换的脚步较晚,东芝(Toshiba)和三星都已在转进50纳米制程世代,但海力士才正要量产60纳米制程NAND闪存,虽然海力士另还有1套57纳米制程在进行,但这套57纳米制程将会以SLC(Single-Level-Cell)为主,由于SLC较容易生产,未来量产问题不大。至于海力士倒货至台湾现货市场金额约达新台币数亿元,未来卖压情况待观察。

模组厂商多认为,不论是海力士在60纳米制程问题,或是其他NAND闪存厂商在50纳米制程瓶颈,预计最快会在9月陆续解决,这也意味上游NAND闪存产出自9月起将大幅增加,有助于解决现阶段缺货问题,然届时NAND闪存价格是否守得住,则需视当时传统旺季需求强度是否足以将新制程产出消化掉。

依过去经验看来,NAND闪存市场需求真正转旺时间点,将会落在8月中旬以后,因此,NAND闪存市场荣景应会再持续几个月,直到国际厂商新制程通过认证且良品率大幅提升后,才会出现价格压力。

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