海力士首度承认60纳米NAND闪存制程出现问题

市场很早之前就传闻海力士（Hynix）60纳米工艺技术转换不顺，只不过当时海力士并没有证实，日前海力士CEO金钟甲首次公开承认产能上出现了问题，不过市场人士指出，对海力士来说目前首要的任务是要服务好苹果这家VIP等级客户，虽然工艺上出现问题，但还是要调拨更多产能投入NAND闪存，正因为如此将使得未来几个月DRAM产能供应量大幅缩小。

根据来自彭博资讯的报道指出，金钟甲首度对外表态，海力士在产能供应上的确有些问题，但海力士正加速补救。据了解，海力士为了能在不更换机器设备又能增加产出的状态下，已将工艺技术进一步转入57纳米工艺，希望能赶上这股两年难得一见的苹果旋风。不过到目前为止虽然海力士已经开始解决问题，但还是赶不上苹果源源不绝的需求。

为此海力士已着手调拨更多产能用于投产NAND闪存，原因在于60纳米工艺技术的稳定度还有调整空间，因此短时间内除了提升良品率外，海力士也同步调拨了DRAM产能投入NAND闪存。但由于整体产能有限，只要动用标准型DRAM产能，势必将影响到DRAM产出数量，因此分析师认为全球第三大DRAM供应商一旦，调拨产能至NAND闪存时，未来标准型DRAM市场行情将持续加温。

DRAM厂商越来越有自信，表示就现阶段整体DRAM供需来看，已经出现了供不应求的情况，且这样的状态将会越来越严重。原因在不只海力士抢搭苹果热，连三星电子（Samsung Electronics）也不会放过毛利率较高的NAND闪存市场，因此势必会再调整更多产能转进NAND闪存，如此一来DRAM下跌的可能性就减少了许多。

至于NAND闪存市场，目前可说是越烧越旺，根据7月上旬集邦电子所开出的NAND闪存合约价来看，在苹果包下了大幅产能的影响下，SLC规格的NAND闪存市场供给持续吃紧，下游厂商进货同样出现困难，因此使得SLC合约价大涨，平均涨幅约15%~30%；MLC的部分，除了4Gb的MLC因供应商持续将产能转往8Gb以上的产品，4Gb产出日益降低而大涨30%，高容量MLC也顺势涨了3%~6%。由于MLC应用较高，占整体NAND闪存产出80%以上，因此DRAM厂商将产能转移到MLC，也是导致SLC缺货严重的原因。