争抢苹果NAND闪存订单 海力士跑步进入57纳米制程

随着苹果（Apple）iPhone及高端iPod将陆续登场，有望带动NAND型闪存储器市场庞大商机，吸引了国际NAND闪存厂商摩拳擦掌，其中，三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）等均已将制程转换到50或56纳米，仍采用90纳米制程的海力士（Hynix）无法与竞争对手抗衡，因此近期急起直追之后，预计第三季起转入60纳米制程技术微缩版的57纳米制程来投产NAND闪存，更让业界惊讶的是，海力士用的是8英寸厂转入57纳米制程。

近期在NAND闪存市场处于弱势的海力士，经过近几个季度的调整后，为赶搭2007年下半年iPhone和iPod所带来的庞大市场商机，第三季度起将转入57纳米制程投产NAND闪存，并计划在2008年第一季度再上一层楼，转入48纳米制程。至于海力士的57纳米制程，是由先前的60纳米制程予以微缩后所产生的新一代制程技术，由于采用57纳米制程投产，估计光是制造成本便可节省高达20%左右，如此一来与竞争对手的差距将有望进一步缩小。

海力士的下游客户指出，尽管海力士一举将制程技术微缩到57纳米制程，但为了进一步节省制造成本，新一代制程技术将继续采用8英寸厂投产，对于海力士而言，无需再增加额外负担便可顺利将新制程技术导入，整体竞争优势将进一步提升。

此外，除57纳米制程技术外，海力士为了能有效与竞争对手一较高下，新一代的48纳米制程也预计在2007年底顺势推出。不过，业界一般认为，要做到48纳米制程，恐将无法再继续采用8寸厂投片，到时还是必须改为12寸厂才可，而海力士这一连串动作，很明显是不希望未来庞大NAND闪存市场商机被三星或东芝全盘吃掉。

值得注意的是，尽管国际NAND闪存厂商陆续转进50纳米制程，但速度比预期要缓慢，除了东芝进度较顺利外，三星电子在50纳米制程也未能跟上预定的时程，目前50纳米制程产品供货数量不多，因此，NAND闪存价格在传统淡季中显得相当稳定，待第3季消费性电子旺季来临，终端需求便可望跟上脚步。

模块业者指出，NAND闪存大厂在2007年初陆续转进50纳米制程，但由于制程难度不断提升，各大厂量产时间表都在往后顺延。其中，东芝由于制程领先，在50纳米制程量产速度最快，三星电子目前也持续加紧了脚步，但量产时间表会比预期往后延，50纳米制程产品虽然已有小批量供货，但是客户能拿到的数量还不多。

模组厂商表示，目前由于NAND闪存的供给不足才撑住市场价格，除了制程转换因素导致的供给有限外，苹果针对第三季度iPod和iPhone的买气展望相当乐观，陆续对NAND闪存厂商增加订单量，也使得NAND闪存供给得以维持，让上游厂商吃下一颗定心丸。

由于第三季度是消费电子的传统旺季，无论是MP3播放器、存储卡、U盘等，买气都会逐渐提升，届时NAND闪存终端应用可逐渐回温，加上苹果推出iPhone，将会进一步带动NAND闪存的需求。从目前来看，第三季度NAND闪存价格的行情相当安全，并预计可维持到第四季度。