重蹈三星覆辙！海力士60纳米MLC制程遭遇瓶颈

NAND型闪存厂商对于三星电子（Samsung Electronics）在2006年底曾因63纳米制程改动设计架构导致兼容性出错事件仍记忆犹新，近期却又海力士（Hynix）的60纳米MLC（Multi-Level Cell，多级单元）制程重蹈覆辙，与控制IC的搭配出现兼容性问题，海力士其中一座工厂还为此停工近一周，紧急与多家控制IC厂商开会找出问题症结后，已经有初步的解决方案。下游模组厂和控制IC厂商对此都连称庆幸，还好这次NAND闪存没有直接上生产线量产，否则恐怕会重演上次退货的事件。

控制IC厂商表示，整个NAND闪存产业制程不断提升，由于物理结构的限制，导致NAND闪存芯片质量和兼容性越来越差，进入60纳米制程后出问题的频率越来越高，在不到一年当中包括三星和海力士等NAND闪存厂商，都接连在60纳米制程上摔跤，至于其他NAND闪存厂也并不是没遇到瓶颈，只不过发现的时间点较早，情况相对不太严重。

尽管一直以来海力士在NAND闪存制程技术上都是三星和东芝（Toshiba）慢了近一代，这两家公司2007年已经计划量产50纳米制程，但海力士60纳米MLC制程才刚要出炉，然而海力士仍然重蹈覆辙，发生了类似2006年底三星转制程出现兼容性问题的事件。

控制IC厂商透露，在问题发生初期，由于无法确定是NAND闪存制程本身问题，还是控制IC支持不好，使得海力士内部相当紧张。甚至在5月底、6月初这段期间，其中一座工厂还为此停工近一周，与多家控制IC厂商召开了多次紧急会议，以共同找出问题症结点。

事实上，控制IC厂商对于此一情况相当紧张，因为2006年底三星63纳米制程发生兼容性问题时，是在NAND闪存芯片已上生产线、且制造成存储卡后才被发现，甚至导致模组厂紧急将该批存储卡召回，而最后所产生损失和责任亦是由控制IC厂商负责。

下游模组厂表示，如果这次海力士60纳米制程问题不能完全解决，一旦产品上生产线或是量产铺货之后被退货，将会对模组厂商或控制IC厂商的实际营运和产品形象造成冲击，后果将不堪设想。

事实上，2006年底存储卡退货风波，便在大陆市场闹得沸沸扬扬，台系厂商被当地消费者和媒体质疑将瑕疵品转往大陆销售，甚至一度抵制台系厂商出品的存储卡，后来花了很多时间和力气才摆平，因此，这次不论是控制IC或是模组厂商，在认证和试产态度上都已经牢记教训，更加的小心谨慎。

值得注意的是，随着NAND闪存即将进一步迈入50纳米制程，加上MLC制程比SLC（Single-Level Cell，单级单元）制程更加复杂，使得NAND闪存厂商及控制IC厂商均谨慎小心，深怕一个不小心便对公司造成重大影响。

控制IC厂商表示，海力士内部在经过近两周的不断努力后，已经初步找出问题的所在，现在正与多家控制IC厂商讨论芯片设计的改动，由于发现时间点还算早，这次问题的后续效应该不会像上次那么严重，短期内可以顺利解决并量产出货。